長鑫存儲DRAM市占率達10% 北方華創稱3D製程獲突破

中國半導體設備商北方華創(NAURA)稱已在3D DRAM生產所需的蝕刻製程取得突破，可望協助長鑫存儲(CXMT)推進3D DRAM量產。與此同時，長鑫存儲的DRAM市占率持續擴大，兩件事疊加，讓中國半導體設備自主化的討論再度升溫。

根據Crypto Briefing報導，於4日指出北方華創在3D DRAM所需的蝕刻製程宣稱取得突破。不過，目前公開資訊並未揭露具體製程名稱、性能指標、良率或量產時程，細節仍待補齊。

3D DRAM是繞開傳統平面DRAM微縮極限的下一代記憶體構想，做法是改採垂直堆疊結構。這類技術通常卡在精密蝕刻、堆疊製程、垂直連接與良率四大瓶頸。北方華創這次的突破究竟解決了哪個環節，仍需要更多資訊佐證。

北方華創在官方資料中表示，旗下設備涵蓋邏輯、DRAM、3D NAND與3D IC製程，並在先進封裝領域提供矽穿孔(TSV)、重佈線層(RDL)、蝕刻、薄膜與清洗設備解決方案。這與3D DRAM的技術方向一致，但並不足以證明長鑫存儲已具備3D DRAM量產能力。

就目前而言，長鑫存儲公開的產品線仍以標準DRAM與行動DRAM為主。長鑫存儲官方產品頁面列出DDR5、DDR5模組、LPDDR5與LPDDR5X、DDR4、LPDDR4X等品項，並標示DDR5最高速度達8000Mbps，LPDDR5X最高速度達10667Mbps。

長鑫存儲成立於2016年，是一家DRAM製造商，業務涵蓋手機、個人電腦、平板與伺服器用DRAM的設計、生產、銷售與研發。公司官方新聞室目前未見與HBM相關的獨立公告。

商業版圖方面，長鑫存儲的存在感明顯增強。市調機構Counterpoint Research統計，2026年第2季全球DRAM營收市占率依序為三星電子(005930)39%、SK海力士(000660)26%、美光(MU)25%、長鑫存儲10%。同一份資料並指出，長鑫存儲是該季成長最快的DRAM供應商。

與上一季相比，成長速度更明顯。Counterpoint Research另一份資料顯示，長鑫存儲在2026年第1季的市占率為8%，等於單一季內營收市占率就拉高了2個百分點。

長鑫存儲的上市與募資動作也是背景之一。上海證券交易所與新華社報導指出，長鑫存儲於2026年7月透過公開發行受到市場矚目，募得資金主要用於既有DRAM產線升級與DRAM研發。本站此前已報導長鑫存儲上市與企業估值爭議相關消息。

中國記憶體產業的自主化嘗試，也與美國出口管制環境緊密相關。美國商務部產業安全局(BIS)於1月13日修訂了對中國半導體出口的許可審查政策，宣布輝達(NVDA)H200與超微(AMD)MI325X等同級晶片，在符合特定安全要求時將採個案審查方式核發出口許可。

這類管制正加大中國半導體業者自行解決設備與製程問題的壓力。先進記憶體生產需要曝光、蝕刻、沉積、量測與封裝設備缺一不可，單一設備的進展並不能直接完成量產競爭力，但減少關鍵瓶頸設備的依賴，仍是供應鏈自主的核心課題。

對半導體業界來說，這是可能牽動競爭格局的變化。三星電子與SK海力士目前仍占全球DRAM營收的最大比重。長鑫存儲市占率達到10%是已獲市調機構確認的數字，但是否成功轉向3D DRAM量產，仍須等待技術公開、客戶採用與良率驗證後才能判斷。

市場反應目前呈現期待與觀望並存的局面。部分投資社群認為，中國業者擴產可能影響記憶體價格與既有供應商的獲利表現；也有看法認為，若實際供給沒有明顯增加，價格下跌的效果恐怕有限。

評論：這則新聞的關鍵，在於把長鑫存儲的市占率成長與北方華創的技術主張分開來看。市占率10%是市調機構提供的市場數字，而3D DRAM量產轉型仍是一項尚待公開驗證的技術主張，唯有等到官方產品線與更多製程資料公布，才能真正評估其量產成熟度。