手機、PC製造成本估漲15%至40% HBM排擠記憶體供給

業界推估，今年智慧型手機與個人電腦（PC）的製造成本恐上漲15%至40%，主因是人工智慧（AI）伺服器用高頻寬記憶體（HBM）大舉排擠晶圓產能，導致泛用型DRAM供給吃緊。

根據Digital Today於28日的報導，記憶體廠商將晶圓優先分配給HBM與DDR5生產，壓縮了智慧型手機、PC所需泛用型DRAM的供給空間。這股成本壓力不只衝擊終端產品廠商，也可能向下傳導至零組件、材料商與原物料供應商。

HBM是將DRAM垂直堆疊、拓寬資料傳輸通道的記憶體產品，主要用於AI伺服器，售價高於一般DRAM。不過，用同一片晶圓生產HBM，實際能取得的DRAM容量反而更少，原因在於堆疊與接合製程會拉低良率。

DS投資證券分析指出，生產1位元（bit）的HBM，需要耗用相當於一般DRAM 3位元份量的晶圓；若把良率因素也算進去，明年實際換算值將達到7倍。以此推算，今年主要DRAM廠商的名目晶圓產能雖為每月約200萬5,000片，但扣除HBM消耗的部分後，實質產能將降至每月約154萬3,000片。

市場預估，今年SK海力士（SK Hynix，000660）的HBM出貨占比約14%，三星電子（Samsung Electronics，005930）約12%。這項占比愈高，能分配給泛用型DRAM的晶圓就愈少。本報先前也曾報導行動用DRAM價格上漲、加重智慧型手機廠商成本負擔的趨勢。

供給吃緊的情況也從DDR5蔓延至DDR4。廠商將產能優先投入HBM與DDR5，相對壓縮利潤較低的DDR4生產。摩根士丹利（Morgan Stanley）評估，DDR4價格第3季可能較第2季最高上漲50%，第4季再進一步上漲逾10%。

DDR4目前仍廣泛用於企業用桌上型電腦、自助服務機（Kiosk）與工業用系統。原本為了規避DDR5價格壓力而選用舊平台的需求，如今也難逃漲價衝擊。這意味著源自AI伺服器的記憶體瓶頸，正逐步延伸至消費性裝置與工業設備的成本結構。

供需失衡被認為不只是短期價格波動，而是較長期的趨勢。市場預估，今年DRAM供需滿足率為負5.0%，明年為負1.9%。DS投資證券並預測，2026年至2035年實質供給能力年均將成長11.9%，同期整體DRAM位元需求年均成長率則約達13%，缺口恐持續存在。

研調機構集邦科技（TrendForce）在7月30日發布的記憶體產業分析中指出，HBM產能分配與AI伺服器需求持續制約DRAM供給。集邦科技在同份分析中估計，2026年DRAM供需滿足率約為負1%至負2%。若供給成長速度追不上需求，泛用型DRAM的價格壓力恐難以緩解。

SK證券則認為，零組件漲幅恐進一步擴大。SK證券評估，記憶體價格可能出現三位數的漲幅，應用處理器（AP）、通訊模組與電路板漲幅至少也有20%至30%，高的話甚至可能超過50%。該券商並說明，顯示器與相機規格提升也將推高成本，內外裝材料與零組件則會受到金屬、化學原料價格影響。

終端產品廠商恐怕也難以把上升的成本全數轉嫁到售價上，原因是中國市場需求疲軟與全球整機出貨量下滑同時發生。Digital Today分析指出，三星電子Galaxy系列今年銷量可能出現負成長，加上中國廠商計劃減產20%至35%，都是壓抑成本轉嫁空間的因素。

當整機廠商在調漲售價上受到限制，成本負擔便可能轉嫁給協力廠商。SK證券說明，終端產品廠商勢必得更強力要求零組件、材料廠調降單價（Cost Reduction，CR）；若零組件、材料廠無法完全吸收，壓力恐將再向下傳導至原物料供應商。

AI伺服器領域的價格壓力同樣持續存在。集邦科技推估，受HBM與晶圓價格上漲影響，輝達（Nvidia，NVDA）伺服器用GPU價格可能在2027年第1季之後上漲10%至20%。本報先前也曾報導HBM與伺服器用DRAM價格上漲，可能影響輝達的成本結構與韓國記憶體供應鏈。

泛用型DRAM供給吃緊的現象，顯示AI基礎建設投資擴大的效應，正逐步轉嫁到消費性裝置的製造成本上。智慧型手機與PC售價、整機廠商的降價要求，以及零組件、材料廠的成本負擔，正在同一條供應鏈中彼此牽動。