2500億美元加碼美國 美光衝刺AI記憶體產能

美光科技（Micron Technology，代號MU）宣布，將截至2035年止的美國國內製造與研發投資計畫，擴大至2500億美元以上。隨著AI資料中心需求擴增，「記憶體」半導體正成為運算晶片供應鏈的核心一環，此次擴產與這股趨勢緊密相關。

據WatcherGuru於4日（當地時間）報導，美光在AI半導體市場中，正崛起為支撐輝達（NVDA）等運算晶片廠商的關鍵記憶體供應商。不過，該報導提及的股價上漲可能性屬於預測性質，並非已確認的事實。

美光在7月9日發布的資料中表示，計畫將截至2035年的美國國內製造與研發投資擴大至2500億美元以上。公司說明，這筆投資將有助於支撐美國國內DRAM產能占比達40%的長期目標。

此次投資計畫瞄準AI伺服器與資料中心對記憶體需求的擴大，屬於長期策略布局。AI運算晶片需要能夠快速讀寫大量資料的記憶體半導體，隨著運算效能提升，「DRAM」與「HBM」的需求也隨之增加。

WatcherGuru報導指出，美光與SK海力士、三星電子並列為記憶體產業三大廠商。該媒體也提到，美光作為總部設在美國的記憶體製造商，在美國國內產能擴張趨勢中具有差異化優勢。

美光另於8月20日發布資料表示，未來十年將投入100億美元，在愛達荷州波夕市（Boise）設立美光研究實驗室（Micron Research Labs）。這座研究中心被定位為長期記憶體與AI研究基地。

美光董事長暨執行長山迪·梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）提及「AI時代記憶體的策略價值」。這句話意味著，記憶體已不再只是零組件，而是被視為AI基礎建設的核心技術。

業績表現也與AI記憶體需求緊密連動。美光在6月24日公布，2026財年第三季營收達414.6億美元。

這項數字高於上一季的238.6億美元，也高於去年同期的93億美元。同一季度，雲端記憶體業務營收為137.69億美元，核心資料中心業務營收則為115.24億美元。

DRAM是伺服器與PC用於快速讀寫資料的記憶體半導體。HBM則是將多顆DRAM垂直堆疊，以提升資料處理速度與頻寬的高頻寬記憶體，在AI加速器與資料中心投資增加時經常被提及。

美光擴大美國投資，被視為供應鏈區域分散、美國半導體政策與資料中心記憶體需求三者疊加的結果。美國國內製造占比的提升，仍是同時考量客戶需求與政策環境的長期課題。

其他記憶體大廠同樣在這個市場競爭。三星電子與SK海力士在全球記憶體市場與美光正面交鋒，也同樣受惠於AI伺服器高效能記憶體需求擴大的影響。

本媒體日前報導，美光執行長曾公開談及公司投資計畫。另也提到，美光將於9月30日公布的財報，將是確認AI記憶體需求的重要指標。

對讀者而言，HBM市場版圖同樣值得關注。本媒體先前報導，SK海力士以2026年第一季營收計算，在HBM市場的占有率達56.4%。

個別企業股價或半導體類股將受到的影響，仍須綜合公司財報、記憶體價格與客戶下單變化才能判斷。美光預計於9月30日召開2026財年第四季財報電話會議。