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三星電子擬2028年前導入High-NA EUV量產先進DRAM

三星電子擬2028年前導入High-NA EUV量產先進DRAM / Tokenpost

三星電子(Samsung Electronics,005930)將與艾司摩爾(ASML)合作開發次世代12吋光罩,並計畫在2028年前於先進DRAM製程導入High-NA EUV設備。

三星電子8日表示,將加入由ASML主導的大型光罩聯盟。該聯盟預計展開共同研究與標準制定,推動現有6吋光罩轉換為12吋規格。

三星電子說明,12吋光罩能提升High-NA EUV的生產效率,並減少將電路分割蝕刻後再拼接的作業限制,藉此降低晶片製造成本。三星電子計畫在2028年前於先進DRAM製造中導入High-NA EUV,藉此簡化製程並提升生產效率。

<版權所有 ⓒ TokenPost,未經授權禁止轉載與散佈>

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好文章。 希望有後續報導。 分析得很棒。

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