三星電子(Samsung Electronics,005930)將與艾司摩爾(ASML)合作開發次世代12吋光罩,並計畫在2028年前於先進DRAM製程導入High-NA EUV設備。
三星電子8日表示,將加入由ASML主導的大型光罩聯盟。該聯盟預計展開共同研究與標準制定,推動現有6吋光罩轉換為12吋規格。
三星電子說明,12吋光罩能提升High-NA EUV的生產效率,並減少將電路分割蝕刻後再拼接的作業限制,藉此降低晶片製造成本。三星電子計畫在2028年前於先進DRAM製造中導入High-NA EUV,藉此簡化製程並提升生產效率。
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