SK海力士砸40億美元 印第安納HBM封裝廠動工 2028年下半年投產

SK海力士（SK Hynix）宣布將在美國印第安納州投資超過40億美元，興建用於人工智慧（AI）記憶體的「HBM（高頻寬記憶體）」先進封裝生產基地，目標於2028年下半年正式投產。

SK海力士訂於27日（韓國時間）晚間11點，在美國印第安納州西拉法葉的普渡大學舉行AI記憶體先進封裝生產基地動土典禮。當地時間則是27日上午10點，地點位於普渡大學霍洛威體育館（Holloway Gymnasium）。

印第安納廠是SK海力士在美國打造的先進封裝生產暨研發據點。未來公司將在此生產次世代「HBM」等AI記憶體產品，並同步開發相關未來技術。

SK海力士新聞室將這次動土典禮定位為打造次世代AI記憶體生產新樞紐，並表示印第安納先進封裝廠動工與強化全球半導體供應鏈密切相關。

美國國家標準暨技術研究院（NIST）說明，印第安納計畫是在西拉法葉建置HBM先進封裝生產線與研發設施的專案。根據NIST公開資料，該計畫預計可獲得最高4.58億美元直接補助、最高5億美元貸款額度，預估資本支出為38.7億美元。

SK海力士印第安納計畫官網頁面列出約40億美元投資規模、133.5英畝基地面積、直接與間接合計7000個就業機會，以及2028年下半年啟動營運的時間表。投資規模與營運時程是公司與美國政府資料共同確認的核心數字。

值得留意的是，這座工廠並非前段製程的記憶體晶圓廠，而是較接近後段製程的「先進封裝」設施。「HBM」是將多顆DRAM垂直堆疊、藉此提升數據處理速度的高效能記憶體，是AI伺服器與繪圖處理器（GPU）不可或缺的關鍵零組件。

先進封裝是將個別晶片結合於基板上、並優化電性連接，藉此提升效能與電力效率的製程。在AI晶片領域，運算晶片與記憶體之間的數據傳輸速度往往決定整體效能，因此封裝能力也被視為供應鏈競爭力的一環。

站在韓國企業的立場，能否在美國當地建立生產基地是關注焦點。本刊此前曾報導，美國要求韓國半導體企業在當地投資記憶體生產設施並保證供應。

不過，SK海力士這次印第安納投資的重點擺在HBM封裝，而非前段生產，性質上有所不同。這裡並非製造晶圓的記憶體晶圓廠，而是將AI記憶體產品進行封裝、並附設研發功能的據點。

動土典禮預計由SK海力士執行長（CEO）郭魯正（Kwak Noh-jung）領軍，SK集團主要經營團隊與印第安納州相關人士也將出席。根據印第安納州州長公開行程，州長麥克·布朗（Mike Braun）將於開幕致詞後，一同出席SK海力士的動土活動。

SK海力士表示，期待藉由印第安納廠強化與北美AI晶片客戶的合作，並建立因應HBM需求的當地生產基礎。這項投資也被解讀為供應鏈貼近客戶的趨勢與AI記憶體需求擴張相互呼應的結果。

評論：AI基礎設施擴張之後，「HBM」已成為記憶體產業的核心成長產品。相較一般DRAM，HBM必須更靠近高效能運算晶片、快速交換大量數據，這也使記憶體廠商的競爭範圍從產能延伸到封裝技術與客製化供應體系。

印第安納廠正式進入動土程序，目標於2028年下半年啟動營運。SK海力士新聞室當天將同步直播動土典禮。