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中國最大D阵記憶體業者長鑫存儲(ChangXin Memory Technologies，CXMT)的HBM3試產初期良率僅達25%，與SK海力士(SK Hynix)90%以上的良率相比，兩者之間的「技術差距」明顯浮現。
根據《朝鮮Biz》(Chosun Biz)9日報導，CXMT生產的8層堆疊HBM3產品，在前段製程良率約為30%，經過封裝、測試等後段製程後，最終良品良率約為25%。報導指出，CXMT已將少量生產的HBM樣品供應給阿里巴巴(Alibaba)旗下晶片部門「平頭哥(T-Head)」，以及寒武紀(Cambricon，688256)等中國企業，並持續推進良率改善。
《朝鮮Biz》分析指出，HBM專用的D阵記憶體晶粒(die)尺寸較一般記憶體產品更大，電氣規格要求也更嚴苛，加上在矽穿孔電極(TSV，Through-Silicon Via)、堆疊與封裝(Bonding)製程中容易出現不良，使良率提升面臨挑戰。
半導體分析機構「Nomad Semi」的分析顯示，CXMT每顆晶粒的TSV數量約為3000個，明顯低於三星電子(Samsung Electronics，005930)HBM2產品的5000個以上，以及SK海力士HBM3產品的8000個以上。
評論人士認為，良率與TSV數量的落差顯示，中國記憶體業者在追趕先進封裝技術上仍需要時間，這也將牽動其在人工智慧(AI)晶片供應鏈中的位置，後續CXMT能否持續拉近與SK海力士、三星電子的差距，值得持續觀察。
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