三星電子2028年目標:DRAM導入高數值孔徑EUV

三星電子（Samsung Electronics）計畫在2028年前，將高數值孔徑EUV（High-NA EUV）曝光設備導入高集積D-RAM量產製程。三星電子同時加入業界合作案，推動光罩尺寸從現行6吋標準轉換為12吋。

三星電子8日宣布擴大與艾司摩爾（ASML）在次世代半導體製造技術上的合作。三星電子將高數值孔徑EUV導入D-RAM量產的時間點訂在2028年，並以「業界首度導入」為目標。

這次合作同時涵蓋記憶體與晶圓代工製程。不過三星電子的2028年計畫目前仍是設備導入與製程驗證後才能達成的目標，並非已確定的量產結果。

高數值孔徑EUV是採用比既有EUV更高「數值孔徑（NA）」的次世代極紫外光曝光技術。艾司摩爾說明，旗下EXE平台的數值孔徑達0.55，高於既有EUV設備的0.33。

艾司摩爾表示，高數值孔徑EUV可實現約8奈米等級的解析度，並支援密度接近2奈米邏輯製程的記憶體節點，同時有望減少製程步驟、缺陷與週期時間。

艾司摩爾提出，高數值孔徑EUV設備可在2025至2026年支援量產規模的生產，但實際轉入量產仍需完成設備安裝、製程最佳化與良率穩定等步驟。

三星電子同步推進的12吋光罩轉換，是提升高數值孔徑EUV生產效率的合作課題。光罩是將電路圖形轉印到晶圓上的原版，三星電子認為大尺寸光罩有助於提升廠房生產效率、降低晶片製造成本，並緩解拼接限制。

放大光罩尺寸並非單靠更換設備就能完成，光罩製造、材料、設備與製程標準化都需同步推進，三星電子計畫參與這套生態系的建構。

經濟性將是高數值孔徑EUV普及速度的關鍵變數。路透社（Reuters）報導指出，部分分析認為大規模轉換的經濟效益要到2030至2031年左右才可能成立；艾司摩爾則準備在2028年前建立每年供應20台的體制。

高數值孔徑EUV設備價格約落在3.5億至4億美元之間。艾司摩爾表示，目前累積訂單約10至20台，但各客戶實際導入規模並未公開。

SK海力士（SK hynix）也表示將在2028年D-RAM量產中導入高數值孔徑EUV，並評估參與12吋光罩轉換相關聯盟，導入時程與三星電子相近。

台積電（TSMC）與艾司摩爾另外發布12吋大型光罩轉換的合作計畫，雙方預計2031年建置試產線，2033年前完成先進製程量產所需的曝光生態系；台積電並表示將自2030年起在先進製程量產中使用高數值孔徑EUV。

記憶體業界的競爭範圍，已從單純取得曝光設備，擴大到光罩與良率驗證能力的較量。如本媒先前報導的艾司摩爾客戶擴大設備承諾案例所示，AI相關投資正持續帶動先進邏輯與記憶體生產設備與製程的轉換。

三星電子此次公布的時程較先前市場預期提前。過去外界推測三星電子導入高數值孔徑EUV的時間點約落在2029至2030年前後，但此次官方發布已將計畫提前至2028年。

三星電子與SK海力士實際量產導入的範圍與設備規模目前尚未公開。三星電子推動2028年D-RAM導入計畫，台積電與艾司摩爾則同步推進2031年12吋光罩試產線與2033年先進節點量產準備。