美光HBM月產能傳衝10萬片 三星、海力士加速迎戰

美光科技(Micron Technology，MU)持續擴大人工智慧(AI)用高頻寬記憶體(HBM)產能，讓三星電子與SK海力士在HBM競爭中不敢鬆懈。目前戰局的關鍵，已從單純的擴產規模，轉向HBM4量產能力與客戶認證速度。

美光在3月16日的發表文件中表示，HBM4 36GB 12H產品已進入大量生產階段。這款產品鎖定輝達(NVDA)次世代Vera Rubin平台，美光指出其接腳速度超過11.0Gbps，頻寬則超過2.8TB/s。

美光在6月24日公布2026會計年度第3季財報時也提到，HBM4已進入大量出貨階段，並已向多家客戶送出適配樣品，HBM4E則預計2027年量產。

韓國《電子新聞》(ET News)4日引述產業消息報導，美光今年底前可望將HBM產能每月再增加最多6萬片晶圓。若成真，美光整體HBM產能將上看月10萬片左右，HBM4占比也可能從年初的20%至30%，拉高到年底的50%。

不過，月10萬片與HBM4占比50%的數字，並非美光官方公告，而是根據產業消息的報導。美光官方揭露的內容，僅限於HBM4進入大量生產，以及HBM4E預計2027年量產。

對市場而言，這不只是美國記憶體大廠的擴產議題，更牽動三星電子與SK海力士能否守住HBM優勢。集邦科技(TrendForce)同日根據《電子新聞》報導推算，三星電子與SK海力士的HBM產能分別約落在月15萬至20萬片。

即使美光產能真的衝上月10萬片，與南韓兩大廠的規模差距依然存在。不過進入HBM4世代後，勝負關鍵不再只看產能，良率、封裝技術與客戶驗證進度同樣舉足輕重。

三星電子表示，已於2月啟動HBM4量產出貨，5月則宣布向全球客戶供應HBM4E 12層樣品。

SK海力士在2026年第2季財報會議上表示，HBM4已開始大量出貨，並預告下半年將擴大生產。本社先前報導過，美光曾說明AI記憶體需求不只侷限於資料中心。

「HBM」是將多顆DRAM垂直堆疊、藉此提升資料處理速度與電力效率的記憶體。AI加速器的效能，不只取決於運算晶片本身，記憶體頻寬與封裝品質同樣關鍵。

也因此，HBM4的競爭不會只是出貨量的比拚。針對高效能AI伺服器設計的產品、逐一客戶的驗證流程、封裝穩定性，以及長期供貨能力，缺一不可。

美光在7月9日宣布，將美國投資計畫上調到2035年前逾2500億美元，紐約新廠也已完成首次混凝土澆灌。

美光擴大美國投資是公司在7月9日發表文件中揭露的內容，顯示除了HBM擴產外，公司同步在推進長期製造能量。

美光的HBM4擴產成效究竟會如何反映在財報與市占率上，仍須透過後續正式財報與客戶採用情況才能確認。美光目前對外預告的HBM4E量產時間點，是2027年。