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美國記憶體半導體上市指數基金(ETF)「DRAM」近兩個月吸引約120億美元資金淨流入。隨著人工智慧(AI)基礎設施建設把記憶體半導體視為核心零組件，主要持股包含三星電子、SK海力士等企業的這檔ETF，資金動向也跟著受到市場關注。
財經評論帳號「柯貝西通訊」(The Kobeissi Letter)在X(前Twitter)發文指出，羅斯希爾記憶體ETF（Roundhill Memory ETF，代號DRAM）的資產管理規模在近兩個月內成長20%，來到歷史新高的280億美元。同一期間，這檔基金的價格下跌28%，但仍吸引約120億美元淨流入，資金已連續8週呈現淨流入。
DRAM是一檔今年4月2日掛牌交易的美國ETF。羅斯希爾在產品說明書中表示，這檔基金投資於高頻寬記憶體(HBM)、DRAM、NAND快閃記憶體、固態硬碟(SSD)等記憶體半導體相關企業。根據6月30日的資料，主要持股包括美光(MU)、三星電子、SK海力士、新帝(SanDisk)與鎧俠(Kioxia)。
DRAM並非追蹤美國半導體類股整體表現的商品，而是聚焦於HBM、DRAM、NAND、SSD等記憶體半導體相關企業。市場人士認為，相較一般泛用型半導體，這檔ETF的表現與HBM、伺服器用記憶體需求的連動性更直接。
不過，資金流入與價格走勢並未同步。根據「柯貝西通訊」公布的數據，DRAM近兩個月雖持續呈現資金淨流入，價格卻下跌28%。這代表光看ETF資金流入，並不能直接判斷成分股或基金價格的漲跌方向。
DRAM自掛牌以來累計資金流入已達270億美元，價格則累計上漲98%。本地媒體先前也曾報導，一檔持有三星電子與SK海力士的美國記憶體半導體ETF，今年以來已吸引266億美元資金淨流入的動向。
槓桿型商品也同步增加。羅斯希爾已於6月24日推出「羅斯希爾T-Rex 2倍做多DRAM每日目標ETF」(Roundhill T-Rex 2X Long DRAM Daily Target ETF，代號RAM)，設計目標為追蹤DRAM單日報酬的2倍。「柯貝西通訊」表示，RAM自掛牌以來已吸引約8.93億美元資金流入。
槓桿型ETF與一般ETF性質不同。羅斯希爾在RAM的產品說明書中指出，這檔基金以追蹤單日2倍報酬為目標，但若持有期間超過一天，實際報酬可能與DRAM報酬的2倍出現落差。說明書也提到，市場波動越大，複利效應越明顯，即使原型ETF(DRAM)價格持平，RAM仍可能出現虧損。
這波資金動向，被市場解讀為AI基礎設施投資熱潮下，記憶體半導體相關商品同步受到關注的訊號之一。不過，DRAM與RAM都是近期才掛牌的新商品，記憶體產業景氣本身也對價格、需求與供給變化十分敏感，後續走勢仍有待觀察。
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