摩根士丹利：DDR4第3季恐漲50%　成熟型記憶體缺貨壓力升溫

DDR4、SLC NAND（單層儲存單元快閃記憶體）、NOR Flash等成熟型記憶體產品，近期漲價壓力持續升溫。分析指出，主要記憶體廠商的產能不斷轉向高附加價值產品，使既有工業用與伺服器用記憶體的供應缺口進一步擴大。

摩根士丹利（Morgan Stanley）14日在報告中指出，DDR4、SLC NAND、NOR Flash的基本面正在改善，主要廠商刪減DDR4產能的速度比市場預期更快。報告預估，DDR4價格在2026年第3季恐上漲50%，第4季漲幅也可能超過10%。

相較之下，SLC NAND的漲價幅度預估更為陡峭。摩根士丹利預期，SLC NAND價格在2026年第3季與第4季都可能上漲逾50%，缺貨情況甚至有機會延續到2027年。至於NOR Flash，該行認為2026年第4季仍有機會進一步調漲，漲勢動能可能持續到2027年上半年。

值得留意的是，這份報告關注的並非最新的高頻寬記憶體（HBM）或DDR5，而是仍大量用於既有設備中的成熟型產品。DDR4是伺服器與PC等裝置用來暫存資料的DRAM規格，SLC NAND則是每個儲存單元僅寫入1位元資料的NAND型快閃記憶體。

SLC NAND儲存密度雖然較低，但耐用性與穩定性較高，因此廣泛用於工業設備、車用電子、網路設備，以及資料中心開機用儲存裝置等領域。NOR Flash則主要用於程式碼儲存與嵌入式系統的非揮發性記憶體，在講求長期供應穩定性、而非高效能表現的應用領域仍有一定需求。

成熟型記憶體的缺貨情況，與整體產業的生產優先順序調整密切相關。記憶體廠商通常會優先把投資與產能配置給獲利較高的最新DRAM、高層堆疊NAND，以及AI伺服器用產品。在這個過程中，既有製程產品的新增產能受到侷限，剩餘需求只能在有限供給中相互競爭。

本站先前也曾報導，SLC NAND合約價格在2026年下半年可能較上半年上漲120%至170%。當時集邦科技（TrendForce）分析指出，主要供應商短期內並無新增產能的計畫，供應吃緊情況預料將持續。

摩根士丹利指出，沒有簽署長期供應合約（LTA），對傳統記憶體廠商而言未必是壞事。該行分析，若不受長約價格上限約束，一旦供應短缺加劇，供應商反而能取得更大的定價主導權。

這與AI伺服器用記憶體市場透過長約鎖定出貨量的走勢明顯不同。美光科技（Micron Technology，MU）先前為因應AI伺服器記憶體需求，簽下16份自2026年起、效期一路延續至2030年底的長期客戶合約。

美光的合約出貨量約涵蓋其DRAM產能的20%、NAND產能的三分之一。相較之下，在傳統記憶體市場，未簽約的產能反而被視為提升價格彈性的因素。

摩根士丹利同時調升旺宏電子（Macronix）、華邦電子（Winbond）、兆易創新（GigaDevice）、力積電（Powerchip）的獲利預估。旺宏電子2026年至2028年每股盈餘（EPS）預估值分別上調139%、144%、147%；兆易創新同期則分別上調108%、49%、48%。

AP Memory則因SiCap業務而被列為首選標的。摩根士丹利給出的偏好排序依序為AP Memory、兆易創新、旺宏電子、華邦電子、力積電、南亞科技。

不過，這份報告分析的對象是傳統記憶體價格走勢與相關企業的獲利展望，並未提出與加密貨幣價格或代幣市場直接掛鉤的依據。至於後續對AI基礎建設與資料中心成本結構的影響，仍須透過記憶體價格走勢與伺服器投資動向持續觀察確認。