前三大持股74.84%　Roundhill記憶體ETF集中度引關注

Roundhill記憶體ETF(DRAM)在官方公開資料中，前三大持股比重合計達74.84%，美光科技(Micron Technology，MU)、三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK hynix)三檔個股就吃下基金資產近四分之三。

根據Crypto Briefing 16日（當地時間）報導，DRAM的美光科技持股比重為25.42%，總資產規模達274億4000萬美元。Roundhill官方資料表（Fact Sheet）則顯示，截至6月30日，總資產為261億2070萬美元，美光科技持股比重為25.81%，兩項數字因統計基準時點與計算方式不同而出現落差。

DRAM是Roundhill於4月2日在美國掛牌的記憶體半導體ETF，管理費率為0.65%，採主動式管理。Roundhill在產品頁面上將DRAM定位為首檔聚焦HBM、NAND快閃記憶體、DRAM與SSD等記憶體與儲存裝置相關企業的股票型ETF。

「集中度」是這檔基金最值得留意的特徵。根據官方資料表截至6月30日的數據，前三大持股依序為美光科技25.81%、三星電子25.04%、SK海力士23.99%，三檔個股合計逼近基金總資產的四分之三。

同一份資料顯示，DRAM依國家別分布分別為韓國49.04%、美國39.51%、日本4.36%、台灣3.90%、中國3.07%。雖然掛牌市場在美國，韓國企業占比卻逼近一半，再加上美光科技，整體績效幾乎由韓美兩國記憶體大型股主導。

這樣的持股結構，對台灣讀者同樣具有參考意義。DRAM雖以美股形式交易、價格隨美國盤面波動，但基金內部三星電子與SK海力士占比極高，匯率變動、美台交易時段落差，以及韓國半導體大型股的股價走勢，都可能同步反映在ETF的價格表現上。

本刊先前曾報導，美股掛牌的記憶體ETF擴大中國長鑫存儲的持股比重，使原本以三星電子、SK海力士為核心的全球記憶體投資組合，同步增加了中國企業的曝險。這次DRAM的持股結構分析顯示，無論是否納入中國企業，記憶體主題型ETF「高度依賴少數大型股」的特徵依然明顯。

Roundhill的公開說明書指出，DRAM的個股權重依修正後市值法計算，並對單一企業設有25%的上限。不過官方資料表顯示，美光科技實際比重已超過25%。資料表對此說明，比重計算同時納入了股票部位與「總報酬互換」（Total Return Swap）合約。

總報酬互換是一種衍生性金融合約，交易雙方交換標的資產的價格漲跌與股息等總報酬。與單純持有現貨股票的ETF不同，若基金同時運用互換合約，投資人就很難直接以說明書上的操作規則，去簡單比對資料表上顯示的權重數字。換句話說，持股占比表與衍生性合約的計算方式，需要一併檢視。

DRAM在美國《1940年投資公司法》下，並未被歸類為「分散型基金」。Roundhill的公開說明書將這檔產品定義為「非分散型」，並提醒若集中投資少數發行機構，單一個股下跌時對整體基金的衝擊也會更大。說明書同時列出風險提示，指出記憶體相關企業的表現會受產品線與市場狀況、景氣循環、技術變化與法規變動等因素影響。

資金流入速度相當快。Roundhill在4月20日發布的新聞稿指出，DRAM掛牌僅10個交易日，資產管理規模就突破10億美元。6月24日，Roundhill再度宣布，DRAM在掛牌約兩個月後，資產規模已突破200億美元。

同一天，Roundhill還推出了Roundhill T-REX 2倍做多DRAM每日目標ETF(RAM)。RAM是以追蹤DRAM「單日」報酬兩倍為目標的槓桿型商品，即便同屬記憶體主題，一般型ETF與槓桿型ETF的風險結構並不相同。

RAM的產品頁面特別說明，超過一天的累積報酬率，並不會單純等於DRAM報酬率的兩倍。這類以「單日」目標報酬率為設計基礎的槓桿型ETF，會因複利效果而使長期累積報酬與原型ETF之間的差距逐漸擴大。

整體來看，DRAM的績效表現將持續受到美光科技、三星電子、SK海力士的營運狀況，以及記憶體價格、HBM需求、匯率與交易時段落差等因素牽動。官方資料呈現的結論相當明確：這檔ETF雖然主打記憶體產業的「純粹曝險」，實際操作結構卻高度綁定在少數大型股身上。

本文查證使用的主要資料來源，包括Roundhill DRAM產品頁面、DRAM資料表、DRAM公開說明書、Roundhill與T-REX旗下RAM的產品發布新聞稿、ETF.com，以及Crypto Briefing。