AI推論需求快速擴散,正在改變NAND快閃記憶體市場的需求結構。原本集中在圖形處理器(GPU)與高頻寬記憶體(HBM)的AI基礎建設討論,如今正延伸到大容量儲存裝置與高效能NAND領域。
SanDisk(SNDK)在2026年投資人日活動中預告,2028至2030財年營收有望以中低雙位數的年複合成長率擴張。公司同時設定目標,同期非公認會計原則(Non-GAAP)毛利率約80%、營業利益率約75%。
SanDisk公布的長期合約規模達939億美元(約新台幣2.96兆元)。這批合約由多筆長期客戶協議組成,外界解讀為公司用來降低NAND市況短期價格波動、提前鎖定需求能見度的作法。
關鍵在於,當AI應用重心從訓練轉向推論,儲存裝置的角色也隨之放大。訓練是打造大型模型的過程,推論則是模型完成後,實際回應使用者請求的階段。
推論需求增加後,模型參數、嵌入向量、快取資料、使用者上下文,以及圖片、影片等多模態資料都會被反覆讀取。由於難以把所有資料都放進HBM,單位成本容量更大的NAND,因此有機會被納入AI系統中更貼近運算端的儲存層。
SanDisk力推的技術是「高頻寬快閃記憶體」(HBF)。公司強調,HBF並非要取代HBM,而是一種以NAND為基礎的架構,用來補足AI推論所需的記憶體。
SanDisk表示,HBF目標是達到與HBM相近的頻寬,同時提供約8倍的容量。SanDisk與SK海力士(SK Hynix)已在2026年2月,於開放運算計畫(Open Compute Project,OCP)架構下啟動HBF標準化工作。
開放運算計畫是一個討論資料中心硬體與基礎架構標準的開放性協作組織。HBF進入標準化討論階段,意味著這項技術的採用評估已不侷限於單一廠商產品,而是延伸到伺服器與加速器整體生態系。
這波變化也牽動台灣供應鏈熟悉的韓國半導體業者。SK海力士身為HBM市場的核心供應商,同時也在HBF標準化討論中占有一席之地。
三星電子(Samsung Electronics)先前已公開400層以上BV-NAND原型與zHBM概念,提出降低AI系統記憶體與儲存瓶頸的方向。BV-NAND是透過晶圓接合技術,同時提升儲存密度與輸出入效能的架構。
NAND產業的這波轉變並非SanDisk獨有。本刊先前也曾報導SanDisk簽下939億美元規模AI儲存合約,並指出HBF是鎖定AI推論所需大容量、高頻寬儲存需求的技術。
不過,還不能斷言AI就此消除了NAND產業原有的景氣循環。NAND是一個對資本支出與供給調節相當敏感的產業,即使需求成長,一旦供給能力一次性擴張,價格與利潤率仍可能重新承壓。
長期合約雖能提升需求能見度,但合約條件與實際認列營收的時點,仍須持續追蹤確認。尤其若長期合約進一步帶動產能投資,需求增加與供給擴張之間的平衡,仍將左右後續景氣走向。
既有NAND技術的演進,也是另一項變數。SanDisk在2026年7月發表BiCS10 1Tb TLC 3D NAND樣品,並表示相較BiCS8,位元密度提升了59%。
由於高頻寬新技術仍處於早期階段,短期內,大容量企業級SSD以及QLC、TLC NAND的效能改善,可能會先一步對接AI儲存需求。整體而言,SanDisk的策略是嘗試把NAND從單純的儲存裝置,提升為AI推論基礎建設中的容量層角色。
對投資人來說,真正值得關注的重點不是股價走勢,而是AI資料中心除了記憶體頻寬之外,究竟需要多大的儲存容量。這項影響,最終仍須從三星電子、SK海力士,以及NAND設備與材料供應鏈的實際接單與資本支出計畫中得到驗證。
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