輝達Vera Rubin用HBM4供應鏈拍板 三星、SK海力士、美光三強角逐

輝達(NVDA)次世代AI平台「Vera Rubin」的HBM4供應鏈，迎來三星電子、SK海力士與美光科技(Micron Technology，MU)三家業者共同掛名。原先市場預期以三星電子與SK海力士為主軸的供應格局，如今美光的參與也獲得正式確認。

輝達6月1日在GTC台北keynote上發表Vera Rubin NVL72，並將上述三家業者列為「HBM4」記憶體供應商。前一天，輝達也表示Vera Rubin平台已正式進入量產階段。

Vera Rubin是Blackwell的下一代AI基礎設施平台，其中Rubin GPU的設計以288GB HBM4容量與22TB/s記憶體頻寬為前提。

HBM是將多顆DRAM垂直堆疊、藉此提升資料處理速度的高頻寬記憶體。隨著AI加速器一次要處理的資料量增加，記憶體容量、頻寬與能源效率，將左右整體系統效能。

美光3月16日發表消息，宣布針對Vera Rubin開發的HBM4 36GB 12層產品已進入量產。該產品針腳速度超過11Gbps，頻寬達2.8TB/s以上，能源效率較HBM3E提升逾兩成。

美光在6月24日的財報發表會上表示，HBM4已大量出貨給主要客戶平台，同時已向多家終端客戶送出驗證樣品。當時的發表未公開客戶名稱，不過在稍早3月的發表中，美光已公開Vera Rubin用產品量產的事實。

美光此次加入供應鏈，意義更在於既有供應地位獲得再確認，而非新進入市場。隨著輝達與美光分別公開平台供應商與產品量產的事實，三方競爭格局正式浮上檯面。

南韓半導體業界也直接牽涉其中。三星電子與SK海力士並列供應商名單，三家業者將圍繞Vera Rubin用HBM4市場展開競爭。

輝達與SK海力士也在6月7日發布多年期記憶體技術合作夥伴關係，雙方將共同開發應用於Vera Rubin與Vera CPU等次世代AI基礎設施的記憶體。

競爭焦點已從單純掛名供應商，轉向量產能力、產品效能與客戶驗證。由於HBM通常須配合客戶的加速器設計進行驗證，即便被列為供應商，實際出貨規模仍可能因產品而異。

初期市場觀測與官方發表存在落差。2月時部分報導曾預估美光在Vera Rubin用HBM4的占比為零，3月時市場也預期供應格局將以三星電子與SK海力士為主。

需求端的長期供應合約也持續擴大。根據路透社報導，美光的客戶為確保記憶體供應，已簽下為期5年、總額220億美元的「take-or-pay」合約。

take-or-pay是即使客戶未實際提領約定數量，仍須支付約定金額的合約方式。供應商可藉此確保長期需求，客戶則能在供給吃緊時提前鎖定所需數量，是波動性較大的記憶體市場中用來分攤雙方風險的機制。

美光在同一則報導中表示，記憶體供給短缺情況至少可能持續到2027年。不過輝達與三家供應商均未公開各自的供應占比、價格與優先分配數量。

本刊此前也曾報導SK海力士與美光在HBM4E、HBM4供應現況的進展，探討AI記憶體規格演變對HBM需求帶來的影響。美光預期HBM4E量產時程落在2027年，目前已向多家終端客戶供應驗證樣品。