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置於混合鍵合設備上的堆疊式半導體晶粒 / TokenPost.ai
三星電子（Samsung Electronics，005930）規劃在2027年初前完成AI晶片用3D Cube-H開發及首版設計套件製作，之後將啟動潛在客戶評估。
MarsBit於10日下午2時50分（台灣時間）報導這項時程。
3D Cube-H是一種透過混合鍵合，將晶片垂直堆疊並連接的封裝技術。相關應用構想包括堆疊GPU等邏輯晶片，或在高頻寬記憶體（HBM）等記憶體晶片上結合邏輯晶片，用於高效能AI晶片。
三星電子先前開發的3D Cube-T採用熱壓接合，正在開發的3D Cube-H則採用混合鍵合。報導列出的最小端子間距中，熱壓接合約為25㎛，3D Cube-H約為6㎛。據報導，混合鍵合可直接連接晶片間的銅，提升連接密度並降低每位元能耗，熱處理特性也與熱壓接合不同。這兩項數值代表端子間距，並非成品效能測量數據。
3D Cube-H是在封裝階段結合分別製作的晶片，堆疊對象與垂直堆疊記憶體單元的3D DRAM不同。SK海力士（SK hynix）將散熱、微細連接與製程整合列為3D DRAM商用化的課題。
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