HBM控制器移至基底晶粒　輝達（NVDA）公開NVHBM

輝達（NVIDIA，NVDA）公開NVHBM，將記憶體控制器移入高頻寬記憶體（HBM）堆疊底部的基底晶粒。韓國記憶體業者能否參與基底晶粒共同設計與接合製程，成為供應鏈角色變化的關鍵；韓國專家則建議業者拓展客戶，並建立混合鍵合量產能力。

輝達在8月公布，已將原本設於AI加速器晶片中的記憶體控制器，移至HBM堆疊最底層的基底晶粒。基底晶粒負責控制堆疊DRAM與加速器之間的資料傳輸。

HBM的核心晶粒負責儲存資料，基底晶粒則負責控制功能。韓國業者能否從供應核心晶粒，進一步參與基底晶粒設計與生產，將影響其在供應鏈中的角色。

ABMedia上月報導，輝達曾要求三星電子（Samsung Electronics，005930）、SK海力士（SK hynix，000660）與美光（Micron，MU）採用台積電（TSMC，TSM）的3奈米製程生產基底晶粒。報導也提到，台積電因應輝達要求，正在評估生產3D DRAM，並討論興建新廠或收購既有工廠等方案。台積電表示，將持續專注於核心晶圓代工業務。

這項要求的報導不代表各業者的量產方式都已定案。評估直接生產3D DRAM，與參與HBM基底晶粒及接合製程，是不同的事項。

韓國《中央日報》（JoongAng Ilbo）9日報導，成均館大學化學工程系教授權錫俊（Kwon Seok-joon）分析指出，台積電即使不直接興建DRAM工廠，仍可透過擴大基底晶粒製造、以混合鍵合主導堆疊與整合、和台灣DRAM業者合作，以及生產3D DRAM周邊電路，進入記憶體產業附加價值較高的領域。

混合鍵合是一種不使用微凸塊、直接接合晶片的技術。權錫俊認為，當HBM堆疊增加至約20層時，這項技術的重要性將提高。

權錫俊表示，若台積電從基底晶粒製造進一步接手接合，即使SK海力士供應核心晶粒，輝達與台積電仍可能掌握成品的設計與製造主導權。這可能改變記憶體業者與晶圓代工業者在供應鏈中的分工。

一名SK海力士前高階人士也警告，若韓國記憶體業者無法掌握基底晶粒、接合與熱處理技術，可能只能停留在DRAM晶胞供應環節。這不代表兩家業者目前的角色已經如此轉變。

權錫俊建議，韓國業者應成為基底晶粒共同設計者，並比台積電更早具備混合鍵合量產能力。他也提出，業者可拓展輝達以外的客戶，以維持設計自主權。

Google、超微（AMD）與Meta被列為客製化HBM的潛在客戶。權錫俊提出的方向，是降低對單一客戶的依賴，並擴大業者自身參與設計的程度。

本刊先前曾報導三星電子計畫在泰勒二廠生產供超微與輝達使用的HBM基底晶粒。基底晶粒生產計畫與共同參與設計，屬於不同課題。

嘉泉大學半導體教育院院長金容錫（Kim Yong-seok）指出，商業合作沒有永遠的朋友或盟友。他呼籲學界投入2.5D、3D封裝、HBM介面與高效能記憶體系統的前瞻研究，也建議政府支持邏輯晶片與記憶體整合設計人才及基礎設施。