512GB DDR5 RDIMM亮相：美光支援最高12TB伺服器配置

美光($MU)展示支援最高9,200MT/s傳輸速度的512GB DDR5 RDIMM。配備24個插槽的雙插槽伺服器，最多可配置12TB DDR5記憶體。

美光15日在官方公告中提出，該模組計畫於2027年下半年量產。不過，公司表示，實際時程可能視客戶需求與平台驗證結果而調整。

512GB DDR5 RDIMM透過垂直堆疊記憶體晶片，並以矽穿孔（TSV）連接，以提高容量。RDIMM是伺服器用註冊記憶體模組，主要應用於比一般個人電腦更重視容量與穩定性的資料中心及高效能運算環境。

美光表示，若以一條512GB模組取代4條128GB RDIMM，單條模組的功耗可降至16W。既有配置功耗為44.2W，在公司提出的比較條件下，耗電量可降低60%以上。

美光也公布了效能改善結果。該模組在記憶體密集型Spark SVM分析工作中的效能，最高達到256GB DDR5配置的1.4倍。

不過，這項數據來自公司提出的特定測試結果，不代表所有人工智慧工作或伺服器環境都能達到相同效能。

美光列出的應用領域包括人工智慧、即時推論、記憶體內資料庫、高密度虛擬化與模擬。這些應用可將大規模資料更長時間保留在速度快於儲存裝置的主記憶體中，以減少資料搬移。

美光表示，在RocksDB與Redis等記憶體內資料庫及快取環境中，大容量記憶體可將大量資料保留在記憶體內，有望用於提高處理量與同時處理能力。實際效果仍可能受到伺服器配置與軟體環境影響。

超微($AMD)與英特爾($INTC)正與美光合作，在新一代伺服器平台上驗證該模組。只有在確認平台相容性與穩定性後，才可能進一步擴大導入。

阿米特・戈埃爾（Amit Goel）AMD運算與企業AI平台解決方案工程副總裁表示：「結合運算與記憶體創新，可以提高AMD平台的價值。」這項說法反映高容量記憶體可能擴大伺服器平台的應用範圍。

英特爾資料中心事業群平台與系統工程主管卡琳・艾布希茨・西格爾（Karin Eibschitz Segal）表示，記憶體容量與頻寬在新一代資料中心的重要性持續提高。除了高效能運算裝置外，記憶體配置也逐漸成為影響資料中心效能的要素。

美光將該產品稱為在多個伺服器平台上展示的「全球首款512GB DDR5模組」。不過，三星電子曾於2021年宣布開發業界首款512GB DDR5模組，因此有必要區分512GB容量本身是否為首款，以及此次產品的平台驗證範圍。

因此，此次產品的差異化重點不在512GB容量本身，而在最高9,200MT/s的速度與新一代伺服器平台驗證。美光此前已公開512GB DDR5模組的開發里程碑與2027年下半年的量產計畫（相關報導）。

目前沒有證據顯示此次發布的產品將直接應用於加密貨幣挖礦設備。現階段可確認的連結，不是挖礦效能，而是AI資料中心與記憶體密集型伺服器的容量及電力效率改善。

美光計畫於2027年下半年量產該產品。美光15日在官方公告中表示，AMD與英特爾的平台驗證及客戶需求，可能影響後續量產時程與市場擴散。