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美光(MU)目標價維持1625美元 瑞銀看HBM供應吃緊

放置在防靜電托盤上的HBM記憶體晶片 / TokenPost.ai

瑞銀集團以「HBM」供應短缺為由,維持美光科技(MU)目標價1625美元不變。這個目標價,比8月7日收盤價877.57美元高出約85%。

根據BlockBeats的報導,瑞銀於11日(當地時間)發布最新報告,同時維持對美光的「買進」評等。

目標價是券商依企業獲利與市場環境推算出的預期股價,實際股價仍會隨記憶體價格、客戶需求與競爭對手擴產進度等因素波動。

瑞銀在報告中將「HBM」列為評估美光獲利表現的核心品項。HBM是把多顆D記憶體垂直堆疊、藉此提升數據處理速度與頻寬的高效能記憶體,主要用於AI伺服器與加速運算晶片。

報告指出,D記憶體、尤其是HBM的供需緊張程度比先前預期更強。瑞銀分析,輝達(NVDA)即使調整VR300架構、讓每顆繪圖處理器(GPU)搭載的HBM容量減少,投入供應鏈的VR300出貨量仍可能增加。

基於此,瑞銀將2027年全球HBM消耗量預估由587億Gb上調至615億Gb。報告同時預期,2027年全產業HBM綜合平均售價將較前一年上漲約79%,HBM4E價格更有機會突破每Gb 30美元。

一般D記憶體的供需也被看緊。瑞銀預估,第3季全產業DDR合約價將較上一季上漲約20%,美光DDR平均售價則預計第3季上漲20%、第4季再漲11%。

即使把中國長鑫存儲科技(CXMT)的擴產計入考量,瑞銀認為D記憶體供給短缺至少會延續到2028年第2季。中國廠商的產能擴張速度與AI伺服器記憶體需求,被視為左右後續供需的關鍵變數。

相對地,NAND快閃記憶體的價格展望被下修。瑞銀將第3季全產業NAND合約價漲幅預估從28%下調至20%,美光NAND平均售價漲幅預估也從35%下修至23%。

不過,伺服器與儲存用固態硬碟(SSD)需求依然穩健。瑞銀將2026年與2027年NAND位元需求成長率預估分別上調至23%與26%。

獲利預估則依會計年度呈現不同走向。瑞銀將美光2026會計年度每股盈餘(EPS)預估小幅下修至74.13美元,2027會計年度預估同樣小幅下修至184.89美元。

2028會計年度EPS預估則上調至265.65美元。瑞銀並預期,美光到2028年的累計自由現金流將突破4500億美元。

近期記憶體相關個股對獲利展望與供應鏈消息反應敏感。SanDisk(SNDK)與威騰電子(WDC)公布財報後,因財測不如市場預期而承壓,美光股價也在傳出蘋果(AAPL)測試長鑫存儲晶片的消息後小幅下跌。

AI記憶體供需牽動的不只是美系大廠,也與台灣及韓國半導體供應鏈的景氣息息相關。美光此前已公開HBM4大量出貨與AI伺服器記憶體營收成長的進展,三星電子與SK海力士同樣把HBM與D記憶體列為主力業務。

值得留意的是,瑞銀這次的展望與花旗近期看法不同。花旗雖將美光目標價下修18%,但仍維持「買進」評等。瑞銀則以HBM供需吃緊為根據,上修2027年消耗量與價格預估,同時下修NAND價格展望。

評論:兩家券商對美光的評等雖然一致偏多,但對記憶體周期的判斷出現分歧,顯示HBM供需能否持續吃緊、NAND價格何時止穩,仍是市場接下來需要觀察的重點,而非已經確定的結論。

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