新聞 
幣種資訊 
關於我們 
有報導指出，三星電子(005930)與SK海力士(000660)為維持在中國的半導體生產線，已測試中國中微半導體(AMEC)的蝕刻設備。三星電子則否認曾評估相關測試及在中國廠導入的說法。
路透社於5日(當地時間)引述多名匿名消息人士報導，指兩家公司自約兩年前起便開始評估中微半導體的設備，目的是在美國擴大對中國半導體設備出口管制的情況下，預先準備替代供應商選項。
中微半導體設備目前尚未決定擴大導入，SK海力士方面也未對此發表個別回應。
報導指出，此次評估的重點並非擴建中國廠房，而是維持現有生產線的運作。業界人士認為，企業擔憂美國的管制範圍不僅限於新設備的引進，未來恐進一步擴及已安裝的西方設備的維護、維修與更換。
三星電子在中國西安設有NAND快閃記憶體工廠。該公司先前表示，2014年正式投產的西安記憶體工廠負責3D V-NAND的生產。
SK海力士則在中國無錫設有DRAM生產基地。無錫市政府將SK海力士無錫法人列為這家成立於2005年的企業在海外最大的製造據點。
美國商務部產業安全局(BIS)已於2025年8月29日宣布，取消原先適用於中國境內外資半導體工廠的「驗證最終用戶」(VEU)例外資格。最終規則將英特爾大連廠、三星中國半導體與SK海力士中國法人自中國VEU名單中剔除。
VEU制度原本用於簡化將受美國出口管制品項運往指定最終用戶的程序。例外資格取消後，中國境內的外資半導體工廠在引進設備時須取得美國政府核准。
不過，美國政府已核發年度許可，允許三星電子與SK海力士在2026年將半導體設備運往其中國廠房。相較於逐案申請，企業的營運負擔有所減輕，但對中國廠擴建與技術升級的限制基調並未改變。
中微半導體是在上海證券交易所科創板掛牌的企業，主要供應蝕刻設備與MOCVD設備。蝕刻是去除晶圓表面薄膜、形成半導體電路圖案的製程，該公司表示旗下設備可支援至5奈米級製程。
中國近年積極推動半導體設備國產化，藉此降低對海外設備的依賴。本社先前也曾報導，中國國營企業已投入深紫外光刻設備的量產。
路透社引述TechInsights的資料指出，中國產設備價格通常較同級海外產品低20%至30%。不過，認證期程較長、服務網絡有限，以及智慧財產權與政治壓力等問題，都被視為採用過程中的限制因素。
此事對三星電子與SK海力士實際設備採購架構或記憶體供應量可能造成的影響，目前仍有待進一步確認。截至目前，已確認的階段僅為設備評估相關報導，擴大導入的決定尚未出爐。
留言 0