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美光（Micron，$MU）展示了伺服器用512GB DDR5 RDIMM記憶體模組，最高傳輸速度達9200 MT/s。搭載24個模組的雙插槽伺服器，最高可配置12TB DDR5記憶體。
美光15日表示，已在多個新一代伺服器平台上展示該模組。AMD（$AMD）與英特爾（Intel，$INTC）正進行驗證，以評估將該模組導入新一代伺服器平台。美光此前已公開512GB DDR5模組的開發里程碑，以及預計於2027年下半年量產的計畫。相關開發進展與量產計畫先前已公布。
RDIMM是伺服器使用的註冊型記憶體模組。相較一般個人電腦記憶體，RDIMM更重視容量與穩定性，主要應用於資料中心與高效能運算環境。
512GB容量是透過垂直堆疊DRAM晶片，並以矽穿孔（TSV）連接的封裝技術實現。這種方式能在不大幅改變模組實體尺寸的情況下，讓單一插槽容納更多記憶體。
電力效率也是其主要特點之一。單條512GB模組的額定功耗為16W；若以4條128GB模組組成相同的512GB容量，功耗則會增加至44.2W。美光表示，單條512GB模組的配置，相較4條128GB模組可降低60%以上的耗電量。
效能數據則以記憶體密集型分析工作為基準。美光表示，在Spark SVM分析環境中，512GB DDR5配置的效能最高可達256GB DDR5配置的1.4倍。美光也指出，在RocksDB與Redis等以記憶體為核心的資料庫與快取平台上，處理量與同時處理能力也可能提升。
大容量記憶體可用於將人工智慧（AI）模型與分析資料集更長時間保留在速度快於儲存裝置的主記憶體中。不過，實際效能仍可能因伺服器配置與工作資料規模而異。
美光今年稍早也已提供256GB DDR5 RDIMM樣品。該產品同樣採用1-gamma DRAM與3D堆疊技術，最高傳輸速度為9200 MT/s。此次512GB模組在相同速度範圍內，將單模組容量提高一倍。
產品價格尚未公布。美光預計根據客戶需求，於2027年下半年量產512GB DDR5 RDIMM。
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