SK海力士砸40億美元 印第安納HBM封裝廠2028年下半年投產

SK海力士(SK hynix‧$SKHY)在美國印第安納州西拉法葉(West Lafayette)動工興建高頻寬記憶體(HBM)後段封裝暨研發設施，總投資金額超過40億美元，目標2028年下半年正式啟用。

SK海力士27日（當地時間）在普渡大學研究園區（Purdue Research Park）舉行印第安納廠動工典禮。路透（Reuters）報導，這座設施將用於AI晶片封裝與研發，潔淨室運作預計自2028年下半年展開。

這項計畫最早於2024年4月公開。SK海力士當時宣布，將在西拉法葉投資38.7億美元，打造下一代HBM專用的先進封裝生產基地與研發設施。

美國國家標準暨技術研究院（NIST）將此案定位為HBM後段產線暨先進封裝研發測試平台。美國商務部則於2024年12月拍板，最高提供4.58億美元直接補助，並搭配最高5億美元貸款額度。

官方時程的基準點落在2028年下半年。NIST資料顯示，該設施量產啟動時間訂在2028年下半年；SK海力士西拉法葉專案官網也標示，廠房建設為2026年上半年，正式運作則自2028年下半年開始。

印第安納廠是SK海力士在美國設立的首座HBM後段封裝暨研發據點。

「高頻寬記憶體（HBM）」是將多顆D記憶體垂直堆疊、藉此提升資料處理速度的高效能記憶體。它與圖形處理器（GPU）搭配使用，主要應用於AI訓練與推論伺服器，在AI晶片供應鏈中，記憶體效能與封裝能力已成為並列的競爭關鍵。

技術主軸落在下一代HBM產品。SK海力士表示，已於2026年6月18日將12層堆疊的「HBM4E」樣品送交主要客戶。

該公司說明，HBM4E每根接腳速度最高可達16Gbps，功耗效率較前一代提升20%以上。向客戶送樣，代表產品進入驗證與量產準備階段。

不過，部分外媒提及的「2029年下半年印第安納廠HBM4E量產」時程，並未在官方公告中以相同形式獲得確認。就SK海力士與美國政府文件來看，可確認的時程僅為印第安納廠2028年下半年啟用暨量產開始。

美國政府將這項計畫歸類為擴大本土AI晶片供應鏈的一環。NIST評估，該設施可支持約1000個新增廠內職缺，以及數百個建築工作機會。SK海力士自家專案網站則提出直接與間接合計創造7000個工作機會的數字。半導體製造廠不只需要生產人力，設備、建築、物流與協力廠商需求也會同步帶動。

地方層面仍有變數。西拉法葉在地媒體「Based in Lafayette」報導，印第安納州蒂皮卡努縣巡迴法院（Tippecanoe Circuit Court）已就這起38.7億美元SK海力士專案的分區變更訴訟，針對商業機密、財務資訊與不動產交易文件核發保護令。

當地審批程序與資訊公開範圍，將與廠房時程分開持續處理。西拉法葉市政府表示，由於居民關注度高，已設立SK海力士專案專屬透明度頁面。

隨著印第安納廠動工，SK海力士的AI記憶體策略正式進入「產品研發」與「美國本土封裝據點布局」同步推進的階段。依官方時程，這座設施預計自2028年下半年啟動運作。