新聞 
幣種資訊 
關於我們 
三星電子（Samsung Electronics）評估將器興（Giheung）NRD-K 2線由研發設施轉為晶圓代工產線，目標產品是輝達（Nvidia，NVDA）高頻寬記憶體（HBM）所需的2奈米基礎晶粒（Base Die）。
ZDNet Korea報導，三星電子正調整NRD-K 2線原定用途，計劃以2028年下半年量產為目標投入晶圓代工製程。該產線可能採用從其他量產線接收晶圓、僅負責特定製程的「Send-Fab」方式運作。
NRD-K是三星電子在器興園區建置中的次世代半導體綜合研發園區，總投資規模約20兆韓元，全部3條產線中的1線已於2024年底完工。這次評估屬於將部分研發設施重新配置、以因應AI半導體代工需求的作法。
關鍵在於HBM基礎晶粒。基礎晶粒是由多層DRAM垂直堆疊而成的HBM底部邏輯晶片，負責與圖形處理器（GPU）等外部處理器交換資料。自HBM4之後，晶圓代工先進製程在整體流程中的比重逐漸超越記憶體製程本身，原因在於資料處理速度、功耗效率與散熱管理都直接取決於基礎晶粒的設計。
三星電子據傳正推動將2奈米製程應用於客製化HBM與HBM5，顯示在次世代HBM競爭中，基礎晶粒製程與封裝技術的重要性正在提升。
次世代產品也傳出2奈米製程的應用計劃，方向是在HBM5基礎晶粒採用環繞閘極（GAA）結構的2奈米製程，並實現更高密度的矽穿孔（TSV）。這代表HBM效能競爭正從記憶體堆疊層數，延伸到基礎晶粒製程與封裝技術。
這股趨勢也牽動韓國國內半導體供應鏈。本報先前報導，2027年DRAM與HBM產能傳出已提前售罄；另有分析指出，輝達2027年的HBM需求可能因規格調整減少約10%。HBM供應量與單顆晶片搭載量，都牽動著三星電子與主要客戶的生產策略。
不過，NRD-K 2線的轉型目前仍處於中長期評估階段。該產線預計於2028年下半年啟用，設備採購訂單尚未正式下單。三星電子此前也曾評估將這條產線用於DRAM生產，最終用途仍可能隨市場狀況與客戶需求而變動。
DRAM產能傳出將更集中配置於平澤（Pyeongtaek）園區。若NRD-K 2線最終確定轉為晶圓代工用途，三星電子的HBM策略將更趨向把記憶體、代工與先進封裝整合在一起的模式。
留言 0