SK海力士加碼1100兆韓元 加速AI記憶體擴產

SK海力士(SK hynix)因應人工智慧(AI)記憶體需求,提出總額達1100兆韓元的中長期投資策略,將韓國國內生產據點擴大到龍仁、清州與西南部三大基地。計畫分階段投入龍仁600兆韓元、清州100兆韓元、西南部400兆韓元。

SK海力士6月29日透過公司資料公布這項投資計畫。CNBC報導提到的7200億美元(約1020兆韓元),是把1100兆韓元計畫換算成美元的說法,公司公布的正式基準金額仍是韓元1100兆韓元。

投資重心落在龍仁半導體叢聚(cluster)。SK海力士將龍仁叢聚的目標時程從原訂2045年提前到2033年。不過2033年並非全區完工,而是第四座晶圆厂(Fab)首座無塵室完工的基準時間點,600兆韓元的整體投入會延續到那之後。

龍仁1期晶圆厂另外追加了投資。公司2月25日宣布,將在龍仁1期晶圆厂再投入21兆6000億韓元,並把首座無塵室開放時程從原計畫提前到2027年2月。此舉被視為提前因應AI、資料中心與高效能運算需求成長,先一步確保產能。

清州將負責NAND與先進封裝兩大軸心。SK海力士7月2日宣布,將在清州投資100兆韓元,興建M17 NAND晶圆厂與P&T7先進封裝廠。根據7月22日的公告,P&T7投資金額已上修至7兆931億韓元,公告並說明這反映了無塵室開放時程加速。

西南部則分配到400兆韓元。SK海力士將西南部定位為繼龍仁之後的新生產基地,公司資料指出,該地需要大規模用地,以及電力、用水等基礎建設配合。

韓國政府的政策構想也朝同一方向推進。總統府的圖文簡報針對西南部先進產業願景,提出SK 470兆韓元、三星電子425兆韓元、艾克爾科技(Amkor)1兆韓元,合計896兆韓元規模的投資構想。半導體叢聚不只是企業投資問題,用地、電網、用水與許可審批速度都得同步到位。

這波投資的技術背景是「高頻寬記憶體」HBM。HBM把多顆DRAM垂直堆疊,藉此提升資料處理速度與頻寬。在AI伺服器與高效能運算設備中,降低記憶體瓶頸已經和圖形處理器(GPU)效能同等重要。

SK海力士6月7日宣布與輝達(Nvidia,NVDA)展開多年期技術合作,合作項目包括Vera Rubin、Vera CPU、RTX Spark與Jetson Thor所需記憶體的共同開發。公司並於6月18日表示,已將12層HBM4E樣品送交主要客戶。

根據Counterpoint Research的統計,2026年第1季全球HBM營收占有率為SK海力士58%、三星電子21%、美光(MU)21%。SK海力士向美國證券交易委員會(SEC)提交的公開文件中,則引用IDC的數據顯示占有率為56.4%。雖然各機構統計方式不同,但SK海力士居HBM市場領先地位的結論一致。

資金籌措也與擴產腳步相互呼應。SK海力士7月透過美國存託憑證(ADR)掛牌,籌得265億710萬美元(約37兆6000億韓元)。SEC公開文件則將實際發行金額記為39兆8905億韓元,差異源自申報當時適用匯率與13日基準匯率不同。

韓國股市中,AI記憶體相關個股的漲勢也持續延燒。美聯社(AP)報導,13日韓國綜合股價指數(KOSPI)上漲3.6%,三星電子上漲4.9%,SK海力士上漲9%。本報此前也曾報導AI記憶體股反彈走勢。

不過,大規模擴產不代表獲利會馬上改善。公開分析指出,市場一方面預期AI基礎設施投資會持續推升記憶體需求,另一方面也有聲音提醒,須留意半導體景氣循環放緩與供給過剩的可能性。隨著AI基礎設施的負擔從運算效能擴散到記憶體容量、頻寬與資料搬移架構,HBM投資已成為記憶體產業最核心的競爭焦點。

這項計畫與加密貨幣挖礦設備或區塊鏈網路的直接供需關聯不大,性質上更接近AI資料中心與數位基礎設施的投資趨勢。高效能記憶體供應鏈或許會影響雲端成本與資料中心擴建速度,但目前並沒有資料顯示這與特定AI相關代幣的價格具有直接關聯。

SK海力士龍仁1期無塵室的開放目標訂在2027年2月,龍仁第四座晶圆厂首座無塵室的完工目標則訂在2033年。清州P&T7的投資規模與西南部生產基地的具體構想,預期將隨公告與公司發表陸續明朗。