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記憶體缺口恐持續到2028年底 輝達下修HBM規格因應

放在防靜電托盤上的HBM記憶體封裝 / TokenPost.ai

輝達(NVDA)雖然調降下一代人工智慧(AI)晶片的記憶體規格,但高頻寬記憶體(HBM)與D記憶體的供給短缺恐持續到2028年底。分析認為,三星電子與SK海力士能否掌握足夠貨源、簽下長期供應合約,將是接下來左右市場的關鍵,而不只是價格因素。

科技媒體TechFlow於韓國時間11日上午7時07分的報導中,引述JP摩根9日發布的報告指出,2026年至2028年記憶體整體潛在市場(TAM)規模預估將上修4%至8%,且供需缺口可能延續到2028年底。

報告提到,輝達已將SOCAMM記憶體容量從1.5TB下修至768GB,原本規劃用於Rubin Ultra晶片的HBM4E堆疊層數,也從16層調整為8層或12層。

JP摩根認為,這並非AI需求轉弱的訊號,而是客戶端因應記憶體短缺所做的暫時性調整。即使單一系統所需的記憶體容量減少,AI中央處理器(CPU)出貨量的成長仍可望彌補整體需求。

報告預估,AI CPU出貨量年均成長率可能達155%。D記憶體平均銷售價格(ASP)已連續20個季度較去年同期上漲,遠遠超過過去景氣循環中連續6至7個季度上漲的紀錄。

HBM是將多顆D記憶體垂直堆疊而成的高效能記憶體,能大幅提升資料處理速度與頻寬,主要用於AI伺服器與加速器。由於HBM與一般伺服器、個人電腦及消費性D記憶體共用產能,供應吃緊時往往牽一髮動全身。

市調機構集邦科技(TrendForce)指出,輝達之所以將Vera Rubin超級晶片模組的SOCAMM容量砍半,背後原因是低功耗D記憶體(LPDRAM)供給受限。MarketWatch則報導,輝達正因HBM供給疑慮,測試規格較低的Rubin Ultra版本。

面對這樣的情勢,供應商紛紛透過長期供應合約(LTA)提前分配產能。LTA是供應商與客戶就特定期間的供貨量與條件簽訂的合約,在供給緊俏時能協助客戶鎖定貨源。

JP摩根報告指出,三星電子的目標是把60%至70%的產能納入LTA,SK海力士則已與大約10家客戶簽約。

美光(MU)已完成16件供應合約(SCA),預付款規模約占LTA總額的20%至25%。透過這類合約,供應商能提高生產計畫的可見度,客戶則可提前確保所需的記憶體貨源。

HBM價格預測同步上修。JP摩根預估,2027年HBM混合平均售價可能較前一年上漲42%,並推估三星電子在HBM訂單中的占比,到2027年至2028年間可達37%至38%。

這樣的走勢與瑞銀先前提出的看法方向一致,瑞銀也認為HBM與泛用型D記憶體的供給短缺可能持續。不過實際簽約量與價格,仍將取決於客戶端下單狀況與供應商的生產規劃。

標普全球市場財智(S&P Global Market Intelligence)分析指出,隨著產能持續轉向HBM,一般D記憶體供給日趨緊張,價格上漲壓力也隨之增加。換句話說,HBM產能占比擴大,連帶影響到使用同一生產基礎的其他D記憶體產品供應。

南韓的三星電子與SK海力士,接下來如何在HBM與一般D記憶體之間分配產能,將是市場關注的重點。雖然輝達下修晶片規格,但單憑這一點還難以斷定AI晶片需求正在轉弱;JP摩根則將供需缺口持續的時間點,設定在2028年底。

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好文章。 希望有後續報導。 分析得很棒。

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