2027年底產能翻倍目標 長鑫存儲評估北京第二廠

中國最大「DRAM」製造商長鑫存儲科技（ChangXin Memory Technologies, CXMT）正評估在北京興建第二座半導體工廠，並討論籌措新增資金，作為其在 2027 年底前將產能提高至兩倍以上計畫的一環。

彭博（Bloomberg）3 日報導，長鑫存儲正在就北京新廠所需資金進行討論。公司尚未正式宣布動工，目前仍處於評估融資與擴大產能方案的階段。

長鑫存儲總部位於中國安徽省合肥，2016 年成立，主要設計、製造與銷售用於手機、PC、平板與伺服器的 DRAM，產品包括 DDR5、LPDDR5、5X、DDR4、LPDDR4X 等。

DRAM 是伺服器、PC 與智慧型手機用來暫時儲存資料的記憶體半導體。若產能擴張落實，中國在通用型 DRAM 供應中的比重可能提高。

Counterpoint Research 統計，2026 年第 1 季以營收計算的全球 DRAM 市占率為三星電子（Samsung Electronics）38%、SK 海力士（SK hynix）29%、美光（Micron）22%、長鑫存儲 8%。長鑫存儲與前三大廠差距仍大，但利用中國內需與資本市場推動擴產，被視為中期供應格局的變數。

長鑫存儲 2025 年第 4 季的全球 DRAM 營收市占率為 7.67%，排名在三星電子、SK 海力士與美光之後，位居第 4。今年第 1 季市占率則升至 8%。

長鑫存儲已於 7 月 27 日在上海科創板上市。集邦科技（TrendForce）依上市前公告彙整，基本募資規模為 579.19 億元人民幣（約 12.6 兆韓元），若超額配售選擇權全數行使，規模可增至 666 億元人民幣（約 14.5 兆韓元）。韓元換算採用 7 月 27 日人民幣兌韓元匯率 217.08 韓元。

募資資金中，75 億元人民幣將用於記憶體晶圓製造線升級。DRAM 技術升級專案與下一代技術研發，則分別投入 130 億元人民幣與 90 億元人民幣。

股權連動商品也開始反映長鑫存儲的崛起。美國 ETF 發行商 Roundhill 近期在一檔 DRAM 主題基金中調降三星電子權重，並納入長鑫存儲。這是長鑫存儲首次被納入美股市場主流 DRAM 投資商品。

不過，制裁與先進設備取得能力可能成為長鑫存儲擴產的限制因素。美國國防部 6 月 8 日公布的 1260H 名單中，將長鑫存儲列為「中國軍事企業」。這項指定不代表全面禁止民間交易，但可能對美國政府採購與國防供應鏈形成壓力。

業界關注焦點在於，長鑫存儲能否把募資資金實際轉化為產能擴張。若通用型 DRAM 供應增加，可能影響由三星電子與 SK 海力士主導的市場競爭格局；但新廠仍需經過動工、設備導入與良率提升等階段。

與「加密貨幣」市場的交集，先出現在股權連動商品上。部分加密貨幣交易平台在長鑫存儲上市前，推出追蹤中國半導體企業股價的永續期貨合約。不過，目前尚無公開資料顯示，北京新廠計畫已連結至特定挖礦設備或區塊鏈基礎設施供應合約。

目前加密貨幣領域可觀察的路徑，是 DRAM 供應變化對伺服器、PC 與資料中心零組件價格及採購環境的間接影響。彭博報導的長鑫存儲產能擴張目標時點為 2027 年底。