三星電子啟動溫陽HBM第5產線工程　5條產線投資規劃達46兆韓元

三星電子（Samsung Electronics，005930）12日在韓國忠清南道牙山市溫陽園區舉行高頻寬記憶體（HBM）先進封裝設施第5產線動土典禮，計畫把以半導體組裝、檢測為主的溫陽園區轉型為HBM後段製程據點。

三星電子規劃分階段投資46兆韓元，在溫陽園區建置5條HBM產線，其中6兆韓元用於廠房建設、40兆韓元用於先進設備。這筆46兆韓元是5條產線的整體投資規劃，並非此次動工的單一第5產線廠房工程費。

第5產線將設置於3層樓內的無塵室，面積約3萬1,000平方公尺。完工後，溫陽園區總樓地板面積將從27萬平方公尺增至42萬平方公尺。

三星電子設定的啟用目標為2028年6月，較原先計畫提前約1年。

HBM是將多個DRAM垂直堆疊並連接的記憶體，應用於人工智慧（AI）伺服器等設備。封裝是將晶片堆疊、接合並檢測，完成產品的後段製程；即使記憶體產量增加，若後段製程設備不足，成品供應也難以同步提升。

溫陽擴建計畫也與鄰近的天安園區空間限制有關。天安設有HBM及晶圓級封裝設備；《電子新聞》報導，業界評估天安廠房與用地已接近飽和。

三星電子計畫擴建並更新天安既有設備，同時在溫陽取得新的生產空間。溫陽園區於1991年以半導體組裝、檢測產線起步。

三星電子7月公布的忠清地區投資計畫，已將溫陽HBM產線投資與天安設備現代化一併列入。此次動土典禮則進一步確定溫陽第5產線的興建時程。

青瓦台在動土典禮相關公告中表示，溫陽先進封裝廠建設納入政府的忠清地區大型專案。

李在鎔（Lee Jae-yong）三星電子會長在動土典禮上表示：「這裡過去以一般半導體的單純組裝、檢測製程為主，未來將轉型為人工智慧（AI）的核心、最先進的HBM據點。」這番話說明三星電子將推動溫陽園區的後段製程轉向以HBM為核心。

三星電子在10月29日公布的2026年第三季財報資料中表示，雖然產能受限，仍以AI產品帶動HBM銷售增加。該公司也預期，2027年AI相關需求將大幅超過產業供給；溫陽第5產線的目標啟用時間則為2028年6月。