輝達要求台積電評估生產 3D DRAM

《The Information》報導，台積電（TSMC，TSM）應輝達（NVIDIA，NVDA）要求，正評估生產次世代記憶體 3D DRAM；目前尚未決定是否投入生產。

台積電已為輝達生產 AI 處理器。此次評估的構想，是在處理器之外，也由台積電直接製造記憶體晶片。

3D DRAM 是將記憶單元垂直堆疊在晶片內，藉此讓單一晶片容納更多資料。HBM 也採用堆疊結構，但堆疊的對象不同：HBM 將多個 DRAM 晶片堆疊，讓資料能快速傳送至處理器。

簡言之，3D DRAM 是在 DRAM 晶片內垂直排列記憶單元，HBM 則是堆疊多個 DRAM 晶片。兩者都與記憶體有關，但並非相同技術。

SK海力士（SK hynix，000660）與台積電於 2024 年 4 月簽署合作備忘錄，合作開發 HBM4 與次世代封裝技術。這項資訊由 SK海力士在公告中公布。

既有合作聚焦於 HBM4 最底層的基礎裸晶（base die）。SK海力士表示，計畫在這項元件上採用台積電的半導體製程。

因此，台積電評估生產 3D DRAM，與既有的 HBM4 合作是不同事項。目前沒有依據將這次評估解讀為合作內容變更或終止。

SK海力士曾說明 3D DRAM 的技術方向與商用化挑戰，當時提出散熱、微細連接與製程整合等課題。

美光科技（Micron Technology，MU）也同步開發 3D DRAM。僅根據目前公開資訊，難以比較各家業者的開發階段或產品規格。

3D DRAM 以垂直堆疊記憶單元為設計方向，若要導入實際產品，仍須處理堆疊結構設計與製程整合。SK海力士公開的技術課題，也反映出商用化過程中需要克服的問題。

若台積電承接記憶體生產，將形成在既有 AI 處理器製造之外，也供應記憶體的構想。不過，目前報導所述仍停留在評估階段。

《The Information》的報導未提及台積電是否決定生產、投資金額或產量目標，也未公布量產時程。