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三星電子（Samsung Electronics，005930）傳出計畫將NRD-K2產線轉換並擴產，用於生產「客製化HBM」（cHBM）與「HBM5」基礎晶片（base die），以因應高頻寬記憶體（HBM）需求持續擴大的市場趨勢。
根據Blockbeats於14日的報導，三星電子將把NRD-K2產線轉向下一代HBM相關生產，藉此提高cHBM與HBM5用基礎晶片的產能。
三星電子晶圓代工事業部技術開發室長具滋欽（Koo Ja-heum）副社長7月27日在三星電子半導體新聞室（Samsung Semiconductor Newsroom）專訪中表示：「HBM5基礎晶片將採用GAA（全環繞閘極）結構的2奈米製程，並實現集積度更高的矽穿孔電極（TSV）。」他並說明，HBM5的運作速度預估將比HBM4E提升50%以上。
基礎晶片是連接堆疊型DRAM與GPU、CPU等外部處理器的邏輯半導體。此次產線轉換與擴產計畫，實際將如何反映在生產量與客戶供貨時程上，仍有待進一步確認。
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