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記憶體類股近期即使財報表現亮眼，股價卻依然走弱，市場分析指出，問題主要出在過度累積的部位與過高的市場預期，而非基本面轉差。即使歷經強制平倉與去槓桿化，部分機構與短線資金的殘餘部位似乎仍未完全出清。
根據ABMedia報導，烏羅波洛斯資本（Ouroboros Capital）最近針對記憶體股跌勢提出分析，認為「部位」與「預期」之間的落差才是關鍵。該機構指出，當市場對利多消息已有高度預期、且大部分已反映在股價中時，即使公布強勁財報，也很難再帶動股價進一步走高。
烏羅波洛斯資本認為，記憶體股近期賣壓並非源自企業基本面惡化。股價下跌後才出現的「長期供應合約（LTA）價格疑慮」與「記憶體價格已見頂」等解讀，性質上比較像是在事後為已經發生的市場走勢找理由，而非提前預示下跌。
該機構評估，目前記憶體股的整體持倉水位已明顯下降。歷經強制平倉與去槓桿化過程後，相當一部分無法承受劇烈價格波動的投資人已經出場。
不過，該機構也提到，長線專屬基金與避險基金手中仍握有殘餘部位，這些機構目前正在評估是否要進一步出清既有持股。
所謂「壅塞部位」（crowded position），指的是大量投資人同時往相同方向下注、部位過度集中的狀態。一旦實際走勢與市場預期出現落差，為了控制虧損，賣壓可能會在短時間內集中湧現，導致企業財報表現與股價走勢背道而馳。
近期記憶體股財報公布後的股價反應，也被視為印證這項分析的案例之一。
先前也有分析指出，即使大盤指數呈現淨買超，市場內部仍可能同時累積大量賣壓部位，換句話說，光看淨買超數據，並無法完全掌握市場內部正在進行的部位調整規模。
記憶體股先前已出現劇烈波動，美光科技（Micron Technology，MU）、SK海力士（SK hynix，000660）與SanDisk（SNDK）盤前交易一度同步重挫逾4%。美光科技盤前跌幅當時一度擴大至5%。
烏羅波洛斯資本表示，中長期而言，高頻寬記憶體（HBM）需求、長期供應合約（LTA），以及三星電子（Samsung Electronics，005930）與SK海力士的資本回饋計畫，將是左右後續評價的關鍵因素。HBM是AI晶片中用於高速處理大量資料的記憶體，長期供應合約則有助於提升製造商的營收能見度。
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