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AI伺服器用高頻寬記憶體(HBM)需求升溫，2026年第3季伺服器DRAM合約價估計將較前一季上漲13~18%。記憶體業者把產能優先配置給HBM與伺服器產品，也讓一般DRAM與NAND Flash供應同步承壓。
集邦科技(TrendForce)在7月9日公布的記憶體價格調查中提出上述預估。該機構指出，美國雲端服務供應商(CSP)已簽署多年期長約，部分客戶的漲價幅度可能受限，但供應吃緊的格局預計仍會延續。
價格上行壓力自第2季起更明顯。集邦科技在3月31日調查中預估，2026年第2季一般DRAM合約價與NAND Flash合約價將分別較前一季上漲58~63%、70~75%。AI與資料中心需求推升企業級SSD訂單，同時DRAM業者將產能轉向HBM與伺服器產品，是供應緊縮的重要背景。
三星電子(Samsung Electronics)在4月30日發布2026年第1季財報時表示，記憶體事業受AI需求與供應有限支撐，創下單季營收與營業利益新高。Counterpoint Research統計，同季全球DRAM營收市占率為三星電子38%、SK海力士(SK hynix)29%、美光(Micron)22%。
SK海力士與SanDisk在2月25日於美國加州米爾皮塔斯舉行高頻寬快閃記憶體(HBF)標準化聯盟成立活動。HBF被定位為介於HBM與SSD之間的新記憶體層級，主打提升AI推論基礎設施的擴充性與電力效率。
供應壓力也開始外溢至消費性產品。美聯社(AP)報導，蘋果(Apple)因AI資料中心擴張導致記憶體晶片短缺，已調漲Mac與iPad價格。這顯示記憶體價格上升的影響，正從資料中心設備延伸至終端產品。
此次漲價被分析為AI資料中心、HBM、伺服器DRAM與企業級SSD需求交錯推動的結果。目前未確認有特定加密貨幣或區塊鏈項目直接引發DRAM、NAND Flash價格上漲的情況。
美光在6月24日發布2026會計年度第3季財報時，提出第4季營收約500億美元（約69兆韓元）的展望。該公司表示，HBM4已開始大量出貨，並預期HBM4E將於2027年量產。
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