EUV設備採購傳各達10兆至20兆韓元 三星電子、SK海力士2027年起陸續收貨

三星電子(Samsung Electronics、005930)與SK海力士(SK hynix、000660)傳將各投入10兆至20兆韓元，採購艾司摩爾(ASML)的極紫外光（EUV）微影設備，並預計自2027年起陸續收貨。

《朝鮮Biz》8日報導了兩家公司的訂購規模與交貨時程。各投入10兆至20兆韓元是報導所述的金額，應與SK海力士已透過公告確認的採購金額區分。

SK海力士今年3月公告，將採購約11兆9500億韓元的艾司摩爾EUV設備。TokenPost當時也報導了訂單規模與設備交期。

據報導，關鍵設備的交貨期較以往最長延長一倍。兩家公司正考慮提前下單並追加訂購。

三星電子據傳已為平澤園區第五廠（P5）訂購微影設備。追加訂購數量尚未確定，仍處於評估或規劃階段。

《朝鮮Biz》8日報導引述業界預期，P5第一階段無塵室將於2027年上半年完工，屆時設備也將開始進場。設備進場時程與無塵室完工進度相互配合。

艾司摩爾在10月14日公布的第三季財報資料中表示，依目前規劃的2027至2028年供應量，可能無法滿足所有客戶需求。設備供應吃緊的預期，是記憶體業者持續競逐EUV設備的背景之一。

艾司摩爾表示，計畫將2027年低數值孔徑（Low-NA）EUV與深紫外光（DUV）浸潤式設備的產能提高30%，相較2026年增加。至於2028年是否進一步擴產，仍在評估中。

EUV是利用波長13.5奈米的光，在晶圓上刻寫半導體電路的微影技術，可減少將電路圖案拆成多次曝光的製程。

在10奈米級第六代1c DRAM中，採用EUV的製程層數正增加。先進DRAM的電路間距持續縮小，設備取得與進入生產線的時程因此受到重視。

此次報導提及的訂單，涉及既有EUV設備的取得，與下一代高數值孔徑（High-NA）EUV的量產導入規劃不同。

三星電子今年9月擴大與艾司摩爾的合作，並提出在2028年前將High-NA EUV導入DRAM量產的目標。TokenPost也曾報導三星電子的2028年導入計畫。

後段製程設備的訂單也持續累積。據報導，韓美半導體(042700)與安靠科技(Amkor)等業者已有2至3年的訂單待交，擴產設備中包括熱壓鍵合機（TC bonder）。

TC bonder透過熱與壓力接合半導體晶片。微影設備用於晶圓上的電路形成等前段製程，TC bonder則用於連接晶片的後段製程。