台積電（TSMC，TSM）傳評估3D DRAM生產　業界：儲存單元由記憶體廠負責

台積電（TSMC，TSM）傳因應最大客戶輝達（NVIDIA，NVDA）的要求評估3D DRAM生產方案；台灣半導體業界指出，儲存單元製造應與邏輯晶片及先進封裝分開看待。

《The Information》6日引述兩名知情人士報導，台積電正應輝達要求評估生產方案，討論選項包括興建新廠，或收購既有廠房後轉型。報導未說明何時開始生產。

台灣《經濟日報》8日報導的業界訪談中，受訪者提到台積電可能負責HBM4基礎晶粒（base die）製造與SoIC封裝，並說明這類合作不等於生產DRAM儲存單元。

高頻寬記憶體（HBM）由多顆分別製造的DRAM晶片堆疊而成，最底層配置基礎晶粒，負責連接記憶體與圖形處理器（GPU）。

3D DRAM的結構則不同於堆疊多顆記憶體晶片的HBM；它是在單一晶片內，垂直堆疊用來儲存資料的記憶體單元。

業界人士表示，儲存單元陣列是記憶體廠的專業領域，台積電則可能負責底層控制器、邏輯電路，或SoIC混合鍵合封裝。《科技新報》（TechNews）先前報導，邏輯電晶體需要高速切換特性，DRAM則要求高電容與低漏電流；製程中的高溫處理也可能限制兩者整合在同一晶片上。

SK海力士（SK hynix，000660）於2024年4月與台積電簽署合作備忘錄，聚焦HBM4開發及次世代封裝技術。SK海力士當時表示，計畫在HBM4基礎晶粒採用台積電的邏輯半導體製程。這是針對記憶體晶片下方基礎晶粒的製造合作，與DRAM儲存單元生產有所區別。

台積電3DFabric技術聯盟的參與者包括三星電子（Samsung Electronics，005930）記憶體事業部、SK海力士及美光（Micron，MU）。該聯盟是晶片堆疊與先進封裝領域的合作架構，參與其中並不代表3D DRAM儲存單元的生產者已經確定。

台灣業界也以過往廠房收購案為例。台積電於1999年收購DRAM製造商宏碁半導體（Acer Semiconductor）的股權。

台積電於2000年6月合併剩餘股權，並將收購的兩座廠納入Fab 7與Fab 8。台積電2000年7月公布的資料指出，當時Fab 7有75%的產能用於服務台積電客戶。

業界人士解讀，台積電收購後沒有延續標準型DRAM生產，而是將廠房用於邏輯半導體代工。他們將標準型DRAM定價能力有限、資本支出負擔沉重，視為台積電業務選擇的背景。

《經濟日報》引述的受訪者表示，台積電的商業模式建立在不與客戶及合作夥伴競爭之上。他們也提到，三星電子、SK海力士與美光既是記憶體廠，也是3DFabric合作夥伴。

SK海力士8日在京畿道利川市SUPEX中心舉行的「2026 SK海力士未來論壇」公開3D記憶體技術方向，提出在DRAM周邊電路導入邏輯代工製程、拓寬資料匯流排，以及縮短資料傳輸距離等構想。

SK海力士將散熱、微細連接與製程整合列為商用化挑戰。這項構想談的是記憶體廠的技術方向，台積電評估3D DRAM生產的報導則涉及晶圓代工廠的生產方案；儲存單元是否由台積電製造，仍須與其他合作環節分開判斷。