報導：三星電子(005930)泰勒2廠HBM基礎晶粒產能全數獲訂，多數供應超微(AMD)

報導指出，三星電子(Samsung Electronics，005930)計畫在美國德州泰勒第2廠生產高頻寬記憶體(HBM)基礎晶粒，供應超微(AMD)與輝達(NVIDIA，NVDA)。

韓國《每日經濟新聞》（매일경제）於11月3日下午5時46分（韓國時間）引述匿名業界人士報導，泰勒第2廠的全部產能都已接獲供應AMD與輝達所需HBM基礎晶粒的訂單，其中大部分供應AMD。報導未提供各客戶的分配數量或合約金額。

同一報導指出，泰勒第2廠將採用2奈米製程，廠房規模為270萬平方英尺（約25萬平方公尺，約為第1廠的1.5倍），預計自2029年2月起導入設備。

三星電子代表被問及客戶資訊時表示：「客戶相關內容難以確認。」

三星電子在10月29日公布的第三季財報中表示，HBM基礎晶粒營收成長與先進製程銷售增加，帶動晶圓代工業務改善。

三星也提及已取得包括大型超大規模運算業者在內的2奈米高效能運算(HPC)客戶訂單，但未公布客戶名稱，也未說明這些訂單是否來自泰勒第2廠。

HBM基礎晶粒是HBM堆疊中的邏輯晶粒。三星電子於2月宣布量產的HBM4採用4奈米邏輯基礎晶粒；這項資訊僅涉及目前的HBM4，並未證實泰勒第2廠將採用2奈米製程。

若報導內容屬實，三星將把美國生產的基礎晶粒與韓國製造的DRAM結合，再向客戶供應完整HBM。因此，報導所稱的泰勒第2廠生產項目是HBM零組件基礎晶粒，並非超微或輝達的完整處理器。

三星電子與超微於3月簽署新一代AI記憶體與運算技術合作備忘錄(MOU)，合作內容包括供應超微Instinct MI455X加速器所需的HBM4。雙方也同意討論在超微下一代產品中採用三星晶圓代工服務的可能性。這份MOU並未確認泰勒第2廠訂單。

至於輝達相關產能的產品分配與訂單性質，報導並未說明清楚。《每日經濟新聞》另稱，三星正評估以自家製程生產輝達下一代客製化HBM「NVHBM」的基礎晶粒；同一報導也稱，輝達要求記憶體業者將該晶粒交由台積電(TSMC，TSM)生產。

TokenPost先前曾報導輝達客製化HBM基礎晶粒將採用台積電3奈米製程生產。本次報導則進一步提及泰勒第2廠產能，以及三星評估採用自家製程的計畫。

三星電子先前在第2季財報電話會議中表示，計畫於年內啟動泰勒第2廠工程；公司提出的量產目標時程為2030年。