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據報導，NVIDIA（NVIDIA）正評估將2027年推出的新一代AI加速器「Rubin Ultra」記憶體配置，從以12層HBM4、HBM4E為主，改為混用8層與12層產品。三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK hynix）據稱將NVIDIA用8層HBM4的量產及出貨時程定在2027年第二季。
台灣媒體ABMedia引述韓國媒體報導指出，12層產品雖能提供更大容量與更高處理量，但也面臨發熱加劇、製造良率降低等問題。若12層結構無法妥善控制熱量，觸發降低效能的保護機制，實際表現可能不如能持續全速運作的8層產品。
ABMedia認為，NVIDIA可能以同時採用8層與12層HBM4的「雙軌」方案因應。報導稱，這代表NVIDIA即使不再堅持單一記憶體規格，也可能優先確保Rubin Ultra伺服器穩定供貨。
HBM是將多個DRAM晶片垂直堆疊，以提高資料處理速度的高頻寬記憶體。「8層」與「12層」指堆疊的晶片數量，層數越多，單組可容納的容量越大；但堆疊增加也會提高製造與散熱難度。
ABMedia也談到HBM市場競爭。報導指出，SK海力士在散熱、良率管理與市占率方面領先；三星電子則以整合晶圓代工與先進封裝的一站式供應方案追趕。美光（Micron）也具備開發8層及12層HBM4的能力，正投入訂單競爭。該媒體補充，從HBM4起，最底層的基底晶粒採用邏輯製程，因此台積電（TSMC）的角色更加重要，SK海力士已與台積電合作。
報導提及的2027年第二季並非HBM4量產起點。三星電子已於2月12日開始HBM4量產與商業出貨。NVIDIA也在6月1日的GTC Taipei主題演講中，將三星電子、SK海力士與美光列為Vera Rubin的HBM4供應商。焦點在於Rubin Ultra將採用何種堆疊層數，以及8層產品何時供貨，而非是否已開始量產。
ABMedia此次報導的內容，是NVIDIA正在評估將12層HBM4、HBM4E改為8層與12層混用；NVIDIA尚未正式公布Rubin Ultra的最終HBM配置。2027年第二季是報導所稱8層HBM4的量產與出貨目標時程，並非已確認的訂單或出貨實績。
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