1b DRAM每平方毫米價值高於台積電N2約54%

最新1b製程DRAM每平方毫米的銷售價值，經計算約比台積電(TSM) 2奈米(N2)晶圓名目價格高出54%。分析指出，人工智慧(AI)需求維持DRAM價格高檔，也推升最新記憶體製程的單位面積價值。

半導體分析機構Kernel Insight於24日表示，最新製程DRAM的單位面積價值已超過台積電N2與N3晶圓價格。台積電300毫米晶圓價格估計為N3的2萬美元(約2730萬韓元)、N2的3萬美元(約4095萬韓元)。若除以整片晶圓面積，1平方毫米的名目價格為N3的0.283美元(約386韓元)、N2的0.424美元(約579韓元)。這項計算未納入晶圓邊緣損失、切割損失、良率與缺陷。相關數據在韓國媒體報導中也獲得相同程度的確認。

Kernel Insight假設DRAM價格為每1Gb 1.50美元(約2048韓元)，並套用各世代的位元密度。計算結果顯示，1y DRAM每平方毫米價值為0.329美元(約449韓元)，1z為0.410美元(約560韓元)，1b為0.654美元(約893韓元)。1b DRAM的單位面積價值約比台積電N2晶圓名目價格高54%。

10奈米級DRAM製程依序朝1y、1z、1a、1b微縮。1b是以每平方毫米0.436Gb的位元密度為前提計算。與台積電N3相比，1y的單位面積價值便已較高，且從1z到1b差距持續擴大。

現貨價格與這項分析的主要前提相近。DRAMeXchange統計顯示，9月21日16Gb DDR5 eTT晶片平均成交價為24.80美元(約3萬3852韓元)。換算為每1Gb約1.55美元(約2116韓元)，與Kernel Insight採用的1.50美元假設相差不大。海外科技媒體也確認了相同的計算方式與前提條件。

不過，這項比較不能解讀為DRAM比先進運算晶片更昂貴或獲利能力更高。台積電數據是客戶支付的晶圓代工價格，DRAM數據則是該面積所承載記憶體成品的潛在銷售額，兩者的計算對象不同。

DRAM計算也未納入高頻寬記憶體(HBM)等先進封裝成本。另一方面，台積電晶圓價格是非官方估算值，屬於未反映實際可用晶粒面積與良率的名目數值。DRAM指標同樣是以少量現貨交易價格為基礎，與三星電子、SK海力士及美光科技($MU)等主要記憶體業者的長期合約價格有所差異。

這項分析顯示，AI需求與DRAM價格如何影響最新記憶體製程的單位面積銷售價值。不過，若要判斷企業業績或製造獲利能力，仍須一併檢視良率、封裝成本與合約價格。