輝達60億美元 2030財年供應承諾年減93% HBM需求解讀分歧

輝達(NVDA)的記憶體與產能供應承諾,將從2029財年的880億美元,驟減93.2%至2030財年的60億美元。不過,單憑這項數字,還難以斷定2029年之後高頻寬記憶體(HBM)需求會走弱。

輝達於2026年7月26日公告,截至當時公司整體供應與產能承諾金額合計達2790億美元。其中,2027財年剩餘承諾為920億美元,2028財年為870億美元,2029財年則為880億美元。

2027至2029財年的承諾總額合計2670億美元。輝達說明,這些承諾主要涵蓋記憶體與製造設施。

這筆承諾金額並非單純的HBM採購額,而是包含資料中心基礎設施系統所需記憶體,以及產品製造設施供應與產能承諾的總和。

部分合約附有條件,允許在正式下單前取消、延後或調整。因此,不能把整體承諾金額直接解讀為確定營收,也不能視為特定記憶體廠商的確定訂單金額。

輝達並未公開2030財年承諾急遽縮減的原因,也未揭露各品項的細部分配。輝達把多少金額分配給哪些記憶體產品、其中又有多少會流向美光(MU),目前都無法確認。

這項數字延續了先前關於記憶體供應緊張可能持續至2028年、以及HBM規格調整的報導。重點不在承諾總額本身,而在於長期承諾與實際需求、出貨速度如何契合。

美光(MU)在2025年12月公布的資料中預估,HBM整體潛在市場(TAM)規模將從2025年的約350億美元,擴大到2028年的約1000億美元。這也是為何輝達承諾金額縮減,難以直接說明HBM市場正在萎縮。

供應面的展望並不單純。美光表示,整體產業的記憶體供應可能在2028年逐步改善,但對於供給何時能追上需求,美光坦言「目前還看不清楚」。

這並不代表2028年後供過於求已成定局。供應增加與HBM需求擴大可能同步發生,單憑輝達承諾金額的變化,很難判斷價格走向或是否會出現供給過剩。

美光在2026財年第3季法說會上表示,HBM4已開始大量出貨給主要客戶平台,並預期HBM4E將於2027年量產。

美光於2026年3月宣布,已開始量產出貨供輝達Vera Rubin平台使用的HBM4 36GB 12層產品。這項發布顯示,HBM4產品出貨正在推進,與輝達的長期承諾屬於不同面向。

HBM是把多顆DRAM垂直堆疊、藉此提升資料處理速度與頻寬的記憶體,主要用於AI加速器與資料中心伺服器。不過,輝達公告中的供應與產能承諾,涵蓋範圍不僅限於HBM,還包括其他記憶體與製造設施。

對記憶體產業與投資人而言,這項數字也牽動供應鏈投資布局。但輝達公告並未揭露與三星電子、SK海力士、美光等特定廠商的個別合約規模,這點也應與HBM規格調整可能帶來的需求變化分開看待。

輝達2030財年承諾金額下滑,反映的是長期供應計畫出現變化,但並非能確認HBM需求已經見頂,或美光業績將放緩的依據。美光目前預期HBM4E將於2027年量產,未來實際出貨與供需變化,才是判斷這次承諾縮減意義的關鍵。