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三星曝光HBM三階段路線圖 規劃zHBM垂直堆疊結構

疊層式半導體封裝與晶圓 / TokenPost.ai

三星電子(Samsung Electronics)公開了將高頻寬記憶體(HBM)技術分三階段升級、最終打造把D記憶體直接堆疊在運算晶片上的「zHBM」結構的路線圖。

根據《華爾街見聞》的報導，三星D記憶體設計團隊的韓相旭(Sangwook Han)近期在「Hot Chips」技術大會上，公開了這項HBM演進計畫。報導指出，zHBM是將D記憶體垂直堆疊在GPU、TPU等運算晶片上方，藉此省去傳統2.5D中介層(interposer)的新結構。

《華爾街見聞》報導引述三星方面說法指出，zHBM相較標準「HBM4E」可降低70%耗電量，並可將D記憶體頻寬提升230%。報導同時提到，該結構每個D記憶體模組可節省100瓦(W)電力，並能為GPU額外釋出8.3%的電力餘裕。

<版權所有 ⓒ TokenPost，未經授權禁止轉載與散佈>

#三星電子 #HBM #zHBM #DRAM #半導體 #Hot Chips

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