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晶圓設備支出上看1500億美元 高盛上修WFE三年預測

晶圓載具與半導體設備室內空間 / TokenPost.ai (mono)

2026年全球「晶圓廠設備」(WFE)支出預測被上修至1500億美元,AI伺服器需求同時帶動記憶體與晶圓代工投資的可能性成為背景。

根據TechFlow報導,高盛於23日(當地時間)發布報告指出,將2026至2028年WFE支出預測分別上修至1500億美元、2180億美元與2810億美元,較先前預測分別高出6%、17%與35%。

上修後,年增率預測為2026年36%、2027年45%、2028年29%,高於此前預測的28%、32%與12%。

WFE是指將晶圓加工成刻有電路的半導體所需的「前段製程」設備投資規模,涵蓋曝光、蝕刻、沉積等核心製造設備。

AI晶片需求增加時,受影響的不只圖形處理器(GPU)與客製化晶片(ASIC)。包括高頻寬記憶體(HBM)在內的記憶體、先進製程晶圓代工,甚至封裝與測試設備的投資範圍都隨之擴大。

高盛將DRAM與先進製程晶圓代工列為短期成長動能,並將三星電子與SK海力士的資本支出預測分別上修22%與19%。

報告認為,HBM4量產將帶動蝕刻與沉積設備需求。HBM是應用於AI伺服器的高效能記憶體,透過將多顆DRAM晶片垂直堆疊,提升資料處理速度與頻寬。

晶圓代工方面,台積電(TSMC)全年資本支出預測被上修80億美元,反映N2製程進入量產擴大階段。

中期項目則包括NAND與邏輯及其他投資。高盛將SpaceX與特斯拉(TSLA)承諾的Terafab初期階段設備投資約168億美元納入WFE預測。

Terafab是外界討論中的大型半導體製造計畫,實際執行規模與時間點仍待後續投資決策與下單情況確認。

此次調整也牽動韓國半導體供應鏈。三星電子與SK海力士皆被列入DRAM投資上修對象,HBM4更是韓國記憶體產業競爭的核心產品線。

隨著AI資料中心投資持續,記憶體供給、先進製程與封裝設備的瓶頸,可能同時成為市場變數。本報先前也曾報導,美國大型科技企業的AI設備投資正逐漸成為總體經濟變數

高盛在報告中將應用材料(AMAT)、科林研究(LRCX)、ASML、東京威力科創(TEL)、ASMI、BESI、Lasertec與荏原(Ebara)列為主要設備股。這僅代表機構對設備需求擴大可能性的看法,並非對個別股價方向的確定性論斷。

市場影響力最終仍取決於AI基礎建設投資轉化為實際半導體設備下單的速度。目前可確認的數據是2026至2028年WFE支出預測上修,以及以DRAM與晶圓代工為核心的投資調整。

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好文章。 希望有後續報導。 分析得很棒。

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