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2027年資料中心占NAND位元需求逾55%:SanDisk預估

在無塵室檢查中的 NAND Flash 晶圓 / TokenPost.ai

閃迪(SanDisk,SNDK)預估,2027年資料中心將占全球NAND Flash位元需求逾55%。公司在2027財年第一季業績資料中,以2026年10月29日為基準提出這項預測。

閃迪表示,2026年資料中心位元需求成長逾一倍,並預估2027年需求將較前一年增加約40%。公司將需求升溫歸因於AI相關資本支出擴大。

根據閃迪的內部市場模型,資料中心占位元需求的比重,已從本十年初的約20%升至目前約一半。逾55%指的是資料中心占全球NAND Flash位元需求的比重,不代表閃迪的市占率或營收占比。

閃迪董事長暨執行長大衛·戈克勒(David Goeckeler)在2027財年第一季業績資料中表示,截至2026年10月29日,「到本十年末,KV快取將占AI資料中心快閃記憶體市場約三分之一」。KV快取是AI模型生成回答時,用來儲存並重複利用先前脈絡的資料。閃迪表示,輸入文字愈長、推論愈複雜,儲存需求就愈高;HBM與DRAM負責高效能記憶體層,快閃記憶體則用來保存更長的脈絡。

閃迪2027財年第一季資料中心營收為48億美元(約6.4224兆韓元),較前一季增加61%。同季總營收為110億3100萬美元(約14.7595兆韓元),成長23%。公司表示,營收增幅約60%來自銷售量增加,約40%來自價格上漲。

閃迪表示,已與8家資料中心及邊緣運算客戶簽約。依據新商業模式(NBM),公司2027財年約一半、2028財年約三分之二的位元產量已簽訂承諾。這些數字統計的是閃迪已簽約的產量,與全球資料中心位元需求占比的統計範圍不同。

閃迪在2027財年第一季業績資料中表示,截至2026年10月29日,已完成首款高頻寬快閃記憶體(HBF)晶片裸晶的流片,並計畫於2027年向客戶提供首款HBF產品樣品。

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好文章。 希望有後續報導。 分析得很棒。

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