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伊隆·馬斯克（Elon Musk）表示，中國一旦掌握記憶體製造技術，擴大產能的能力往往會超過世界其他地區的總和。他認為，通用記憶體與新一代高頻寬記憶體（HBM）的技術難度並不相同。
馬斯克13日回應記憶體半導體股票賣壓相關討論時表示，中國曾在鋰離子電池與太陽能領域展現擴產能力。BlockBeats報導了這番言論。
他也指出，記憶體產業的情況可能不同。大約三年前，記憶體仍接近利潤偏低的通用商品；LP5與LP6採用共同標準，因此中國似乎能迅速克服相關技術問題。他沒有進一步說明LP5與LP6所指的具體產品規格。
至於新一代HBM，馬斯克認為技術門檻更高。他舉例說，這類設計可在邏輯電路下方配置SRAM層，並在上方以3D方式堆疊記憶體；如何管理邏輯電路產生的熱量，也是難以解決的問題。
這場討論的背景，是長鑫存儲（CXMT）正在開發新一代DRAM。長鑫存儲表示，計畫在年底前推出採用4F²結構與混合鍵合等技術的DDR5 RDIMM伺服器記憶體產品。
4F²是相較主流6F²結構縮小記憶體單元面積的設計。相關說明指出，在晶圓面積與製程節點相同的情況下，單元面積可縮小約三分之一，理論上的儲存密度可提高約50%。這項開發消息引發外界對未來競爭與供應增加的憂慮。
不過，公布產品計畫並不能證明已進入大規模量產或達到穩定良率。馬斯克談的是中國擴大生產規模的能力，並非對長鑫存儲量產成果的確認。
馬斯克還表示，SpaceX（SpaceX）是太空發射領域少見的例外。他聲稱，SpaceX送入軌道的載荷總質量約為世界其他地區總和的10倍；若不計入SpaceX，中國則占送入軌道載荷總質量的大部分。
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