HBM明年預計將占DRAM業者晶圓產能近30%。由於HBM與一般DRAM競爭相同的晶圓產能,HBM擴產可能進一步壓縮一般DRAM供應。
三星電子副總裁金泰宇(Kim Taewoo)表示,HBM占比預計將從目前約20%升至明年接近30%。
TrendForce 29日表示,HBM與一般DRAM正競爭有限的先進製程與晶圓產能。TrendForce預估,截至2027年底,主要HBM供應商的HBM晶圓投入量將占DRAM晶圓總投入量約30%,但以位元計算的供應量約為13%。
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放置在晶圓上的HBM記憶體晶片 / TokenPost.ai
HBM明年預計將占DRAM業者晶圓產能近30%。由於HBM與一般DRAM競爭相同的晶圓產能,HBM擴產可能進一步壓縮一般DRAM供應。
三星電子副總裁金泰宇(Kim Taewoo)表示,HBM占比預計將從目前約20%升至明年接近30%。
TrendForce 29日表示,HBM與一般DRAM正競爭有限的先進製程與晶圓產能。TrendForce預估,截至2027年底,主要HBM供應商的HBM晶圓投入量將占DRAM晶圓總投入量約30%,但以位元計算的供應量約為13%。
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