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三星電子據傳正考慮擴大晶圓代工產能，以因應HBM4用4奈米邏輯基底晶粒的需求。
MoneyToday於21日報導，三星電子因HBM4需求增加，正考慮擴增4奈米製程。三星電子的HBM4由10奈米級第6代1c DRAM，以及採4奈米製程生產的邏輯基底晶粒組成。
HBM4基底晶粒是協助GPU與AI加速器交換資料的連接層。據報導，三星電子4奈米生產線目前稼動率偏高，超過一半的產能已分配給HBM4基底晶粒。
三星電子也在考慮將4奈米基底晶粒應用於HBM4E，並在HBM5導入採GAA結構的2奈米製程。
三星電子傳考慮擴增4奈米產能，因應HBM4需求
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