NAND需求估增75~100EB SanDisk瞄準AI推理KV快取商機

SanDisk(SNDK)把人工智慧（AI）推理過程中的「KV快取」定位為NAND快閃記憶體需求的新成長點，公司公布的核心數字是2027年NAND需求可能因此增加75~100艾位元組（EB）。

KV快取是大型語言模型（LLM）用來保存先前對話脈絡、避免重複運算的中間資料。隨著對話長度拉長、同時連線數增加，圖形處理器（GPU）內建的高頻寬記憶體（HBM）恐怕不足以獨力承擔這些資料量。

Crypto Briefing報導指出，SanDisk預期到2030年，KV快取可能占AI資料中心NAND工作負載的35%；不過這項數字並未出現在SanDisk官方新聞稿中，目前無法確認。

可確認的官方數字來自公司財報。SanDisk在2026年1月29日公布財報時表示，2027年KV快取需求可能帶動75~100EB的額外NAND需求，隔年這個數字有機會翻倍。公司同時說明，這項預估尚未反映在自家的需求展望中。

KV快取直接牽動AI推理的成本與回應速度。模型在處理先前對話或長文件時，若每次都重新運算全部脈絡，GPU運算量與記憶體用量都會跟著增加。因此業界正在討論把部分資料下放到HBM以外的儲存層。

三星電子（Samsung Electronics）在官方半導體部落格中，把KV快取卸載形容為AI推理面臨的儲存瓶頸問題。慧與科技（Hewlett Packard Enterprise，HPE）也介紹了分層使用HBM、中央處理器（CPU）記憶體與NVMe固態硬碟（SSD）的架構。

SanDisk傳達的訊息不只是「多賣一點NAND」這麼單純，而是主張儲存裝置在AI基礎設施中，除了保存訓練資料，還能扮演推理過程中的脈絡儲存角色。這也呼應本站先前報導的輝達推理資料瓶頸緩解趨勢。

SanDisk在2026年7月2日發布BiCS10 1Tb TLC 3D NAND樣品，宣稱該產品介面速度最高可達4.8Gb/s，位元密度較BiCS8提升59%，輸入功耗降低10%、輸出功耗降低34%。

這款產品鎖定的正是AI資料中心需要以更低功耗處理更多脈絡資料的場景。對推理服務來說，隨著使用者需求增加，運算之外，資料搬移與儲存層效率同樣左右成本結構。

與SK海力士（SK hynix）的合作也走在同一條路線上。SanDisk與SK海力士已於2025年8月6日簽署合作備忘錄，共同推動高頻寬快閃記憶體（HBF，High Bandwidth Flash）標準化。

SanDisk規劃在2026年下半年推出首批HBF樣品，2027年初推出搭載HBF的首款AI推理裝置樣品。HBF被形容為在頻寬上看齊HBM的同時，以相近成本提供8至16倍容量的技術。

本站先前也報導過SK海力士與SanDisk公開首份HBF標準規格，當時公開的規格支援最高512GB容量、約0.4~3.0TB/s頻寬。

不過，快閃記憶體並不會就此直接取代HBM。快閃記憶體在寫入耐用度與延遲上，與HBM存在不同限制。業界討論的重點也不是SSD取代GPU記憶體，而是哪些工作負載可以下放到哪一層儲存裝置。

經濟效益會因快取命中率、脈絡長度、同時連線的工作階段（session）數量與資料保存時間而不同。同樣是AI推理，短查詢為主的服務與反覆使用長脈絡的服務，儲存層帶來的效益也會不一樣。

SanDisk於2025年2月24日完成與威騰電子（Western Digital）的分割，正式在那斯達克（Nasdaq）以SNDK獨立掛牌交易。公司提出的KV快取需求與HBF時程顯示，AI推理基礎設施的關注焦點正從單純的運算效能，擴大到記憶體容量與資料搬移架構。實際的NAND需求與營收影響，仍須透過產品樣品驗證與資料中心導入結果來確認。

驗證來源：Crypto Briefing、SanDisk投資者關係資料、SanDisk BiCS10發表資料、三星電子半導體部落格、HPE開發者部落格。