332層堆疊2Tb NAND問世 鎖定資料中心SSD市場

鎧俠（Kioxia）與晟碟（SanDisk）共同開發的第10代3D NAND快閃記憶體「BiCS10」，採用332層堆疊結構與2Tb QLC設計。其記錄密度達到37.6Gb/mm²，主要鎖定資料中心用高容量SSD市場。

鎧俠在7月15日發布的技術說明中指出，雙方已於今年2月在美國舊金山舉行的國際固態電路會議（ISSCC）2026上，公布「第10代BiCS FLASH 2Tb 4b/cell產品」的開發成果。這款產品採用332層堆疊字元線，並運用了高密度平面配置技術。

鎧俠表示，37.6Gb/mm²的記錄密度在QLC產品中屬於全球最高水準。所謂2Tb，指的是單一晶片可儲存的資料容量；記錄密度則代表在一定面積內能集中多少資料量。

QLC是一種每個儲存單元可寫入4位元資料的NAND技術。這種方式能在相同面積內容納更多資料，有利於打造大容量SSD，但相較於TLC，在寫入效能與耐用度的控管上難度更高。

雙方在BiCS10 QLC產品中導入6-plane架構與「Local BUS Coupling Sense」技術。兩家公司表示，透過這項設計，寫入處理量已突破每秒85MB。

為提升能源效率，雙方也導入了「Bus Idle Sleep」技術。這項技術可將超高層封裝中未被選取晶片的待機電流，從原本數十毫安（mA）等級降低至數百微安（µA）等級。

隨著SSD容量提升，封裝內堆疊的NAND裸晶數量也會隨之增加。降低未選取晶片待機電流的技術，可望用來減輕AI資料中心的發熱與營運成本負擔。

BiCS10目前在商用化進度上，走在前面的是TLC產品。鎧俠已於7月3日開始出貨基於第10代BiCS FLASH技術的1Tb TLC記憶體樣品。

晟碟也在7月2日公布BiCS10 TLC樣品進度。該產品的1Tb TLC密度超過29Gb/mm²，介面速度達4.8Gb/s，並採用了Toggle DDR6.0、SCA協定與PI-LTT技術。

此次公布的QLC技術，應用重心更偏向企業級與資料中心市場，而非一般消費級SSD，目前尚未公布導入消費級SSD產品的時程。

根據集邦科技（TrendForce）6月11日公布的統計，2026年第一季企業級SSD營收較上一季大增86.1%，達到184億6000萬美元。在AI代理服務普及與雲端業者採購需求增加的帶動下，晟碟QLC企業級SSD出貨量也隨之上升。

目前NAND供給狀況仍屬緊俏。集邦科技7月21日的評估指出，受AI相關需求與有限的擴產規模影響，2026年NAND快閃記憶體市場的供給短缺率預估將達4%至5%，並預期供需情況要到2027年下半年才會趨於緩解。

在三星電子與SK海力士互相競爭的記憶體市場中，鎧俠與晟碟這組聯盟正以高密度NAND與能源效率技術，因應資料中心的需求成長。此前，SK海力士與晟碟也已著手推動HBM與SSD之間新記憶體層級「高頻寬快閃記憶體」的標準化工作。

目前尚未公布與加密貨幣、區塊鏈直接相關的事業計畫。此次發表的重點在於服務AI資料中心與企業級SSD的高容量儲存技術，而NAND供需情況預計要到2027年下半年才會出現緩解。