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美光科技($MU)將次世代DRAM製程1δ與400層以上NAND G11的擴產目標訂在2027年下半年，並同步開發垂直式HBM與3D DRAM。
美光總裁暨技術與產品長Scott DeBoer於21日的技術線上研討會表示：「記憶體是AI的核心，也是目前限制系統效能與能力的因素。」美光並在會中公布DRAM、HBM與NAND技術藍圖。
1δ是目前量產中的1γ之後一代DRAM製程。DeBoer表示，1δ的位元密度預計較前一代提升20%多，達中段水準。這代表相同面積可儲存更多資料；美光正針對HBM5、垂直式HBM等AI產品設計此製程。
次世代NAND產品G11的目標，是位元密度達G9的2倍、輸入輸出速度提升至1.5倍。美光計畫採用結合兩片晶圓的鍵合技術，堆疊層數將超過400層。公司表示，待產品推出時間接近時，才會公布詳細規格。
HBM的開發方向除了標準型與客製化產品，也包括垂直式架構。垂直式HBM是將記憶體直接配置在運算處理器上方。DeBoer指出，連接點密度與散熱管理仍是技術課題；美光尚未公布商用時程或確定的效能數據。
在DRAM架構方面，美光將持續微縮既有的6F²製程，同時開發3D DRAM。DeBoer表示，導入時程將依成本、製造複雜度與效能評估後決定。
這次公布的技術計畫，涵蓋美光提升AI記憶體位元密度、傳輸速度與配置架構的方向。三星電子與SK海力士也曾公布AI記憶體及高層數NAND技術，相關業者的開發競爭仍在持續。TokenPost先前也報導，三星電子公開了400層以上的鍵合式NAND，以及將記憶體堆疊於運算裝置上方的技術概念。美光預計在G11於2027年推出前後公布詳細規格。
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