新聞 
幣種資訊 
關於我們 
AI半導體業者Groq據傳正評估在新一代晶片導入「3D堆疊DRAM」封裝技術，以DRAM取代目前晶片所用的SRAM。
南韓媒體ZDNet Korea(지디넷코리아)報導，Groq正把3D堆疊DRAM封裝視為選項之一。業界解讀，這是想擺脫以SRAM為核心的晶片設計，大幅提升晶片容量。不過，這並非Groq正式對外公布的內容。
SRAM與DRAM同屬半導體記憶體，特性卻不同。SRAM速度快，但可容納的容量有限；DRAM速度相對較慢，卻適合打造大容量晶片。換句話說，這等於把設計重心從「拚速度」轉向「拚容量」。「評論」：若報導屬實，反映的是速度與容量之間的取捨。
「3D封裝」是將多顆半導體晶片垂直堆疊、整合成單一晶片，而不是平鋪在同一平面上。ZDNet Korea指出，相較傳統2D封裝，這種做法可縮減晶片表面積，並提升能源效率。
3D堆疊DRAM也是其他業者正在布局的領域。SK海力士在8日舉行的未來論壇上，點出3D DRAM商用化的課題包括發熱、微細連接與製程整合。SK海力士副社長金慶勳(Kyunghoon Kim)表示：「要把3D堆疊DRAM做成實際產品，除了設計最佳化，還必須解決發熱與製程複雜度等與以往不同的技術課題。」3D DRAM的具體量產時程與產品規格，SK海力士同樣尚未公開。
留言 0