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置於晶圓上的記憶體堆疊用邏輯晶粒 / TokenPost.ai
三星電子傳出將採用台積電3奈米製程，生產輝達客製化高頻寬記憶體NVHBM的基底晶粒；三星也在驗證自家晶圓代工能否生產這款晶粒。
Odaily於18日引述分析師Jukan在X上的貼文報導，輝達據稱要求三星電子採用上述製程。Jukan表示，相關消息來自韓國媒體報導。
基底晶粒是位於HBM核心記憶體晶粒下方的邏輯晶片。輝達公開NVHBM時，曾說明將客製化記憶體控制器整合至HBM基底晶粒的架構。
Odaily報導指出，三星正在確認能否以自家晶圓代工生產基底晶粒，以因應NVHBM需求超出台積電產能的情況。不過，報導未提及實際生產數量或時程。
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