三星4奈米明年產能已滿 加碼搶攻5奈米訂單

三星電子（Samsung Electronics，005930）晶圓代工的4奈米產能，因HBM4基礎裸晶（base die）與AI推論晶片需求快速攀升，明年的產能已提前被訂單填滿。三星電子為彌補4奈米供給吃緊的問題，已展開5奈米與8奈米製程的客戶爭取行動。

ZDNet Korea於5月3日報導，三星電子晶圓代工的4奈米製程已確保到明年的生產量能。報導指出，HBM4基礎裸晶需求與全球大型科技公司訂單增加，是產能被填滿的主因。

三星電子表示，去年2月啟動HBM4量產時，已採用4奈米邏輯基礎裸晶。隨著晶圓代工製程投入記憶體產品HBM4的核心零組件生產，記憶體與邏輯半導體的供應鏈因此出現交織的結構。

HBM4是專為AI伺服器設計的高頻寬記憶體，能讓運算裝置與大量資料快速交換。基礎裸晶則負責連接堆疊記憶體與運算裝置，並控制資料流動。

輝達（NVDA）與Groq相關訂單，也是拉動4奈米需求的另一股力量。黃仁勳（Jensen Huang）輝達（NVDA）執行長曾提及，三星是Groq語言處理器（LPU）的製造合作夥伴。

三星電子公開的Groq 3 LPX規格顯示，AI推論運算效能達315petaflops（PFLOPS）、靜態隨機存取記憶體（SRAM）容量128GB、記憶體頻寬40PB/s。Groq 3 LPU採用的4奈米晶圓，也在GTC 2026展會攤位上展出。

在4奈米供給有限的情況下，三星電子正提出5奈米製程作為替代方案。晶圓代工官方網頁上，針對資料中心、企業應用以及AI推論、訓練領域，列出的建議製程涵蓋5奈米、4奈米、3奈米與2奈米。

5奈米製程不僅可用於車用與行動裝置半導體，也能應用於AI伺服器與高效能運算（HPC）設計。在4奈米產能受限的情況下，外界解讀三星電子是想運用已驗證的5奈米產能，擴大客戶選擇空間。

ZDNet Korea於6月2日報導，三星電子在SAFE論壇2026後，已要求國內外設計服務公司（design house）加強5奈米與8奈米業務拓展，同時美國泰勒（Taylor）廠一期則以2027年量產2奈米為目標。

AI半導體需求不僅衝擊晶圓產能，也對先進封裝形成壓力。集邦顧問（TrendForce）於4月30日分析指出，AI競賽正壓縮3奈米、2奈米晶圓與2.5D、3D先進封裝的供需。

先進封裝是將多顆半導體晶片以高效能、高密度形式連接並組裝的後段製程技術。隨著AI伺服器中運算裝置與HBM之間的資料傳輸速度日益重要，晶圓產能與封裝設備必須同步到位。

HBM競賽已不只是世代更替，正擴大為記憶體、晶圓代工、封裝三方整合的競爭。三星電子將同時具備三項事業能力，做為其AI半導體供應鏈策略的差異化優勢。

市場上也有關於中國與印度無晶圓廠（fabless）企業擴大下單5奈米的說法，但具體客戶名稱與訂單規模並未獲得證實。此次事件與加密貨幣、區塊鏈專案或挖礦設備需求之間，也未發現直接關聯。

5奈米業務拓展最終能轉化為多少實際訂單與營收，仍有待後續接單公告與客戶量產時程揭曉。泰勒廠一期的2奈米量產目標時間點為2027年。